产品介绍
H11G1 H11G2 H11G3系列结合了一个砷化铝镓红外发射二极管作为发射器，它光学耦合到塑料DIP6封装中的硅平面达灵顿光电晶体管探测器，具有不同的铅形成选项。
一、光耦 - H11G1的特性：
高隔离5000 VRMS
直流输入与晶体管输出
工作温度范围- 40°C至110°C
RoHS & REACH达到合规
MSL类1
监管批准：
-UL - UL1577
-VDE - EN60747-5-5(VDE0884-5)
-CQC - GB4943.1
二、光耦 - H11G1的应用：
低功率逻辑电路
电信设备
便携式电子设备
不同电位和阻抗的接口耦合系统
