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Photodiode UV à base de carbure de silicium SG01L–A5 de SGLUX d'Allemagne
Photodiode ultraviolet à base de carbure de silicium SGLUX d'Allemagne.
Photodiode ultraviolet à base de carbure de silicium SGLUX d'Allemagne.

Photodiode UV à base de carbure de silicium SGLUX Allemagne - SG01L–A5

1. Utilise un matériau en carbure de silicium (SiC)
2. Adapté à la bande UVA
3. Zone de détection effective de 1,0mm2
4. Une irradiance de crête de 10uW/cm2 génère environ 3,7nA de courant
5. Stabilité élevée de la puce (certifiée par le PTB allemand)

Modèle de produit : SG01L–A5

Présentation du produit

1.Photodiode UV à base de carbure de siliciumCaractéristiques du SG01L–A5 :

1. Utilise un matériau en carbure de silicium (SiC)

2. Adapté à la bande UVA

3. Zone de détection effective de 1,0mm2

4. Une irradiance de crête de 10uW/cm2 génère environ 3,7nA de courant

5. Stabilité élevée de la puce (certifiée par le PTB allemand)

À propos du matériau en carbure de silicium (SiC) :

Le SiC peut supporter une dureté de rayonnement extrême, une zone aveugle visible, un faible courant d'obscurité, une réponse rapide et un faible bruit ; ces fonctionnalités font du SiC un très bon matériau pour les détecteurs UV à zone aveugle visible. Les détecteurs SiC peuvent fonctionner à des températures allant jusqu'à 170°C, et le coefficient de température du signal (taux de réponse) est également très faible, <0,1%/K. En raison du faible bruit (courant d'obscurité de niveau fA), même une intensité de rayonnement UV très faible peut être mesurée de manière fiable (avec un amplificateur approprié).

Les photodiodes SiC peuvent être utilisées comme dispositifs de détection à large bande non filtrés ou avec des filtres optiques, offrant une réponse aux bandes UVA, UVB et UVC.


Deuxièmement, paramètres techniques de la photodiode UV à base de carbure de silicium SG01L–A5 :

Modèle

SG01L-A5

SG01L-A18

Caractéristiques spectrales

Réponse spectrale

0.037A/W

0.037A/W

Valeur typique de la longueur d'onde

331nm

331nm

Plage de longueurs d'onde (S=0,1*Smax)

309-367nm

309-367nm

Zone aveugle au visible (Smax/S>405 nm)

>1010

>1010

Caractéristiques générales (25 °C)

Zone de détection effective

1.0mm2

1.0mm2

Courant d'obscurité (polarisation inverse de 1 V)

3.3fA

3.3fA

Capacité

250pF

250pF

Courant de court-circuit (irradiance de crête de 10uW/cm2)

environ 3,7nA

environ 3,7nA

Coefficient de température

<0.1%/K

<0.1%/K

Valeurs nominales

Température de fonctionnement

-55~+170℃

-55~+170℃

储存温度

-55~+170℃

-55~+170℃

Température de soudure (3 s)

260℃

260℃

Tension inverse maximale VRmax

20V

20V

物理特性

Boîtier métallique T05 scellé, 1 broche isolée, 1 broche mise à la terre

Boîtier métallique T018 scellé, 1 broche isolée, 1 broche mise à la terre


Troisièmement, domaines d'application de la photodiode UV à base de carbure de silicium SG01L–A5:

Principalement utilisé pour le contrôle de flamme (chaudières industrielles), le traitement de l'eau (assurance de l'intensité UV), l'astronomie UV (détection en réseau), le suivi de projectiles (caméras UV), la surveillance de l'ozone et des polluants, la détection de flamme (dispositifs de sécurité incendie, surveillance de gouttelettes d'huile), le test de l'intensité UV dans la lumière solaire (cadeaux, accessoires cosmétiques), le test de l'intensité de génération UV des lampes UV (dispositifs médicaux ou vérification de l'efficacité de désinfection des armoires de désinfection civiles), etc.