Photodiode UV à base de carbure de silicium SGLUX Allemagne - SG01L–A5
1. Utilise un matériau en carbure de silicium (SiC)
2. Adapté à la bande UVA
3. Zone de détection effective de 1,0mm2
4. Une irradiance de crête de 10uW/cm2 génère environ 3,7nA de courant
5. Stabilité élevée de la puce (certifiée par le PTB allemand)
Présentation du produit
1.Photodiode UV à base de carbure de siliciumCaractéristiques du SG01L–A5 :
1. Utilise un matériau en carbure de silicium (SiC)
2. Adapté à la bande UVA
3. Zone de détection effective de 1,0mm2
4. Une irradiance de crête de 10uW/cm2 génère environ 3,7nA de courant
5. Stabilité élevée de la puce (certifiée par le PTB allemand)
À propos du matériau en carbure de silicium (SiC) :
Le SiC peut supporter une dureté de rayonnement extrême, une zone aveugle visible, un faible courant d'obscurité, une réponse rapide et un faible bruit ; ces fonctionnalités font du SiC un très bon matériau pour les détecteurs UV à zone aveugle visible. Les détecteurs SiC peuvent fonctionner à des températures allant jusqu'à 170°C, et le coefficient de température du signal (taux de réponse) est également très faible, <0,1%/K. En raison du faible bruit (courant d'obscurité de niveau fA), même une intensité de rayonnement UV très faible peut être mesurée de manière fiable (avec un amplificateur approprié).
Les photodiodes SiC peuvent être utilisées comme dispositifs de détection à large bande non filtrés ou avec des filtres optiques, offrant une réponse aux bandes UVA, UVB et UVC.
Deuxièmement, paramètres techniques de la photodiode UV à base de carbure de silicium SG01L–A5 :
| Modèle |
SG01L-A5 |
SG01L-A18 |
| Caractéristiques spectrales |
||
| Réponse spectrale |
0.037A/W |
0.037A/W |
| Valeur typique de la longueur d'onde |
331nm |
331nm |
| Plage de longueurs d'onde (S=0,1*Smax) |
309-367nm |
309-367nm |
| Zone aveugle au visible (Smax/S>405 nm) |
>1010 |
>1010 |
| Caractéristiques générales (25 °C) |
||
| Zone de détection effective |
1.0mm2 |
1.0mm2 |
| Courant d'obscurité (polarisation inverse de 1 V) |
3.3fA |
3.3fA |
| Capacité |
250pF |
250pF |
| Courant de court-circuit (irradiance de crête de 10uW/cm2) |
environ 3,7nA |
environ 3,7nA |
| Coefficient de température |
<0.1%/K |
<0.1%/K |
| Valeurs nominales |
||
| Température de fonctionnement |
-55~+170℃ |
-55~+170℃ |
| 储存温度 |
-55~+170℃ |
-55~+170℃ |
| Température de soudure (3 s) |
260℃ |
260℃ |
| Tension inverse maximale VRmax |
20V |
20V |
| 物理特性 |
Boîtier métallique T05 scellé, 1 broche isolée, 1 broche mise à la terre |
Boîtier métallique T018 scellé, 1 broche isolée, 1 broche mise à la terre |
Troisièmement, domaines d'application de la photodiode UV à base de carbure de silicium SG01L–A5:
Principalement utilisé pour le contrôle de flamme (chaudières industrielles), le traitement de l'eau (assurance de l'intensité UV), l'astronomie UV (détection en réseau), le suivi de projectiles (caméras UV), la surveillance de l'ozone et des polluants, la détection de flamme (dispositifs de sécurité incendie, surveillance de gouttelettes d'huile), le test de l'intensité UV dans la lumière solaire (cadeaux, accessoires cosmétiques), le test de l'intensité de génération UV des lampes UV (dispositifs médicaux ou vérification de l'efficacité de désinfection des armoires de désinfection civiles), etc.