Photodiode UV en carbure de silicium SGLUX Allemagne - SG01M–A5

1.Photodiode UV au carbure de siliciumCaractéristiques du SG01M–A5 :

1. Utilise un matériau en carbure de silicium (SiC)

2. Adapté à la bande UVA

3. Zone de détection effective de 0,2 mm²

4. Un éclairement énergétique maximal de 10 mW/cm² génère environ 740 nA de courant

5. Stabilité élevée de la puce (certifiée par le PTB allemand)

À propos du matériau en carbure de silicium (SiC) :

Le SiC peut supporter une dureté de rayonnement extrême, une quasi-parfaite zone aveugle au visible, un faible courant d'obscurité, une réponse rapide et un faible bruit ; ces caractéristiques rendent le SiC un matériau approprié pour les détecteurs UV à zone aveugle au visible. Les détecteurs SiC peuvent fonctionner en permanence à des températures allant jusqu'à 170 °C, avec un coefficient de température du signal (réponse spectrale) très faible, <0,1 %/K. En raison du faible bruit (courant d'obscurité de niveau fA), même de très faibles intensités de rayonnement UV peuvent être mesurées de manière fiable (avec un amplificateur approprié).

Les photodiodes SiC peuvent être utilisées comme dispositifs de détection à large bande non filtrés ou avec des filtres optiques, offrant une réponse aux bandes UVA, UVB et UVC.

II. Paramètres techniques de la photodiode UV au carbure de silicium SG01M–A5 :

Modèle	SG01M-A5	SG01M-A18
Caractéristiques spectrales
Réponse spectrale	0.037A/W	0.037A/W
Valeur typique de la longueur d'onde	331nm	331nm
Plage de longueurs d'onde (S=0,1*Smax)	309-367nm	309-367nm
Zone aveugle au visible (Smax/S>405 nm)	>1010	>1010
Caractéristiques générales (25 °C)
Zone de détection effective	0.2mm2	0.2mm2
Courant d'obscurité (polarisation inverse de 1 V)	0.7fA	0.7fA
Capacité	50pF	50pF
Courant de court-circuit (éclairement énergétique maximal de 10 mW/cm²)	Environ 740 nA	Environ 740 nA
Coefficient de température	<0.1%/K	<0.1%/K
Valeurs nominales
Température de fonctionnement	-55～+170℃	-55～+170℃
储存温度	-55～+170℃	-55～+170℃
Température de soudure (3 s)	260℃	260℃
Tension inverse maximale VRmax	20V	20V
物理特性	Boîtier métallique T05 scellé, 1 broche isolée, 1 broche mise à la terre	Boîtier métallique T018 scellé, 1 broche isolée, 1 broche mise à la terre

III. Domaines d'application de la photodiode UV au carbure de silicium SG01M–A5 :

Principalement utilisé pour le contrôle de flamme (chaudières industrielles), le traitement de l'eau (assurance de l'intensité UV), l'astronomie UV (détection en réseau), le suivi de projectiles (caméras UV), la surveillance de l'ozone et des polluants, la détection de flamme (dispositifs de sécurité incendie, surveillance de gouttelettes d'huile), le test de l'intensité UV dans la lumière solaire (cadeaux, accessoires cosmétiques), le test de l'intensité de génération UV des lampes UV (dispositifs médicaux ou vérification de l'efficacité de désinfection des armoires de désinfection civiles), etc.