常规贴片工作原理主要分为SMT贴片机和DC贴片插座两种类型。
低电阻贴片通常指贴片电阻或贴片电感等表面贴装元件，其工作原理因类型不同而有所区别。
低电阻贴片通常指贴片电阻或贴片电感等表面贴装元件，其工作原理因类型不同而有所区别。
常规贴片工作原理主要分为SMT贴片机和DC贴片插座两种类型
常规贴片工作原理主要分为SMT贴片机和DC贴片插座两种类型。
电感是闭合回路的一种属性，是一个物理量。
MPC303X-4L，MPC304X-4L和MPC306X-4L，MPC308X-4L系列结合砷化铝镓红外发射二极管作为发射器，该二极管光学耦合到塑料的单片硅与不同的铅形成选项。
MPC301X-4L，MPC302X-4L，MPC305X-4L系列结合了一个砷化铝镓梗死发射二极管作为发射器，它光学耦合到塑料DIP4封装中的单片硅随机相光晶体，具有不同的铅形成选项。
MPC303X、MPC304X、MPC306X和MPC308X系列结合了砷化铝镓红外发射二极管作为发射器，该二极管与塑料DIP6封装的单片硅具有不同的铅形成选项。
MPC301X、MPC302X和MPC305X系列结合了砷化铝镓红外发射二极管作为发射器，该二极管光学耦合到塑料封装的单片随机相硅，具有不同的铅形成选项。
MPC814系列将两个砷化铝镓红外发射二极管作为交流输入，其光学耦合到塑料DIP4封装中的硅平面光电晶体管探测器，具有不同的导线形成选项。
H11LX系列结合了一个砷化铝镓红外发射二极管作为发射器，它被光学耦合到一个塑料DIP6封装中的施密特触发器探测器，具有不同的铅形成选项。
MPH481系列快速速度光耦合器包含一个LED和光电探测器，内置施密特触发器，以提供逻辑兼容的波形，消除了额外的波整形的需要。
MPH480系列快速速度光耦合器包含一个LED和光电探测器，内置施密特触发器，以提供逻辑兼容的波形，消除了额外的波整形的需要。
MPCM601系列结合了砷化铝镓红外发射二极管作为发射器，该发射器光学耦合到硅高速集成光电探测器逻辑门和塑料SOP5封装的可频输出。
6N135,6N136，MPC450X系列结合了一个砷化铝镓红外发射二极管作为发射极，它是光学耦合到一个塑料DIP8封装与不同的铅形成选项。
MPH5701系列光耦合器非常适合驱动电源igbt和mosfet，用于电机控制逆变器应用和电源系统中的逆变器。
MPH343系列光耦合器非常适合驱动电源igbt和mosfet，用于电机控制逆变器应用和电源系统中的逆变器。
MPC3150L系列结合了砷化铝镓红外发射二极管作为发射极，该二极管与塑料DIP8封装中的集成电路相连，具有不同的导线形成选项。
MPC3120R系列结合了砷化铝镓红外发射二极管作为发射极，该二极管与具有不同铅形成选项的塑料DIP8封装中的集成电路具有功率输出级。
ICPL-316J是一种高度集成的电源控制装置
ICPL-314系列光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器和电源系统中的逆变器和MOSFET。
ICPL-2700 ，ICPL-2701器件是一个由一个砷化镓红外发光二极管和两个光电二极管组成的高度线性模拟光电耦合器。
ICPL-227系列结合了一个砷化铝镓红外发射二极管作为发射极
ICPL-155E由一个GaAIAs红外发光二极管和集成的高增益、高速光电探测器组成。
ICPL-075L（双通道）是SOIC-8软件包中的15MBd CMOS光耦合器。
ICPL-074L（双通道）是SOIC-8软件包中的25MBd CMOS光耦合器。
ICPL-0630/0631/063L是一种光耦合门
ICPL-060X系列结合了砷化铝镓红外发射二极管作为发射极
ICPL-0530/0531/053L包含一对发光二极管和集成的光电探测器
H11LXX系列结合了一个砷化铝镓红外发射二极管作为发射器
H11G1 H11G2 H11G3系列结合了一个砷化铝镓红外发射二极管作为发射器
CNY17-X，CNY17F-X系列结合了砷化铝镓红外发射二极管作为发射器
6N138和6N139系列结合了一个砷化铝镓红外发射二极管作为发射器
6N135,6N136系列结合了砷化铝镓红外发射二极管作为发射极
4N25、4N26、4N27、4N28、4N35、4N36、4N37、4N38系列将砷化铝镓红外发射二极管作为发射极
4N32,4N33系列结合了一个砷化铝镓红外发射二极管作为发射器
光电耦合器是以光为媒介传输电信号的一种电一光一电转换器件。
ICPL-343系列光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器和电源系统中的电机控制逆变器和MOSFET逆变器。
ICPL-450X系列结合了一个砷化铝镓红外发射二极管作为发射极
ICPL-480系列快速速度光耦合器包含一个LED和光探测器
ICPL-481系列快速速度光耦合器包含一个LED和光探测器
ICPL-816系列结合了一个砷化铝镓红外发射二极管作为发射极
ICPL-817系列结合了一个砷化铝镓红外发射二极管作为发射极
ICPL-851系列结合了砷化铝镓红外发射二极管作为发射极
ICPL-852系列结合了一个砷化铝镓红外发射二极管作为发射器
MPCM501系列结合了一个砷化铝镓红外发射二极管作为发射器，该发射器光学耦合到一个塑料SOP5封装中的硅高速光电晶体管。
MPH-341系列光耦合器非常适合驱动逆变器和用于电机控制逆变器和逆变器。
MPH-314系列光耦合器非常适合驱动电源逆变器和用于电机控制的逆变器和MOSFET。
MPC817系列结合了一个砷化铝镓红外发射二极管作为发射极，该二极管光学耦合到塑料DIP4封装中的硅平面光电晶体管探测器，具有不同的铅形成选项。
MPC356系列结合了一个砷化铝镓红外发射二极管作为发射极，该发射极管光学耦合到塑料SOP4封装中的硅平面光电晶体管探测器。
MPC301X-4L、MPC302X-4L、MPC305X-4L和MPC307X-4L系列将砷化铝镓梗死发射二极管作为发射器，其光学耦合到单片随机相硅的光电晶体中。
结合砷化铝镓红外发射二极管作为发射极，其光学耦合到硅高速集成光电探测器逻辑门，其塑料DIP8封装具有不同的铅形成选项。
MPC101X系列结合了砷化铝镓红外发射二极管作为发射极，该发射极管光学耦合到塑料LSOP4封装中的硅平面光电晶体管探测器，具有不同的铅形成选项。
MPC816系列将砷化铝镓红外发射二极管作为发射极，该二极管光学耦合到塑料DIP4封装中的硅平面光电晶体管探测器，具有不同的铅形成选项。
MPC354系列将两个砷化铝镓红外发射二极管作为交流输入，其光学耦合到塑料SOP4封装中的硅平面光电晶体管探测器，具有不同的铅形成选项。
MP214系列结合了两个砷化铝镓红外发射二极管作为发射器。
