Diodo fotodetector ultravioleta SGLUX de Alemania - SG01L-C5/SG01L-C18
1. Utiliza material de carburo de silicio (SiC)
2. Solo aplicable a la banda UVC
3. Área de la región fotosensible de 1.0 mm2
4. Genera aproximadamente 12 nA de corriente bajo irradiación de intensidad pico de 10 uW/cm2
5. Alta estabilidad del chip (certificado por PTB de Alemania)
6. Certificación DVGW de Alemania
Introducción del producto
Características del diodo fotodetector ultravioleta SG01L-C5/SG01L-C18:
1. Utiliza material de carburo de silicio (SiC)
2. Solo aplicable a la banda UVC
3. Área de la región fotosensible de 1.0 mm2
4. Genera aproximadamente 12 nA de corriente bajo irradiación de intensidad pico de 10 uW/cm2
5. Alta estabilidad del chip (certificado por PTB de Alemania)
6. Certificación DVGW de Alemania
Sobre el material de carburo de silicio (SiC):
El SiC tiene ventajas extremadamente especiales: puede soportar radiación de alta intensidad, es casi insensible a la luz visible, genera baja corriente oscura y tiene una respuesta rápida. Estas características hacen del SiC un material muy adecuado para fabricar detectores ultravioleta semiconductores que pueden suprimir la luz visible. Los detectores de SiC pueden funcionar a temperaturas de hasta 170 °C durante largos períodos, tienen un coeficiente de temperatura bajo (<0.1%/K) y bajo ruido, y pueden monitorear eficazmente intensidades de radiación muy bajas (requiere amplificador correspondiente).
Parámetros técnicos del diodo fotodetector ultravioleta SG01L-C5/SG01L-C18:
| Modelo |
SG01L-C5 |
SG01L-C18 |
| Características espectrales |
||
| Sensibilidad |
0.120A/W |
0.120A/W |
| Longitud de onda típica |
275nm |
275nm |
| Rango de longitud de onda (S=0.1*Smax) |
225-287nm |
225-287nm |
| Relación de supresión de luz visible (Smax/S>405nm) |
>1010 |
>1010 |
| Características generales (25 °C) |
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| Área fotosensible |
1.0mm2 |
1.0mm2 |
| Corriente oscura (polarización inversa de 1 V) |
3.3fA |
3.3fA |
| Capacitancia |
250pF |
250pF |
| Corriente de cortocircuito (intensidad pico de 10 uW/cm2) |
Aproximadamente 12 nA |
Aproximadamente 12 nA |
| Coeficiente de temperatura |
<0.1%/K |
<0.1%/K |
| Valores nominales |
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| Temperatura de operación |
-55~+170℃ |
-55~+170℃ |
| Temperatura de almacenamiento |
-55~+170℃ |
-55~+170℃ |
| Temperatura de soldadura (3 s) |
260℃ |
260℃ |
| Voltaje inverso máximo VRmax |
20V |
20V |
| Características físicas |
Sellado en carcasa metálica TO5, 1 pin aislado, 1 pin a tierra |
Sellado en carcasa metálica TO18, 1 pin aislado, 1 pin a tierra |
Áreas de aplicación del diodo fotodetector ultravioleta SG01L-C5/SG01L-C18:
Se utiliza principalmente para control de llamas (calderas industriales), tratamiento de agua (seguro de intensidad UV), astronomía UV (detección de matrices), seguimiento de proyectiles (cámaras ultravioleta), monitoreo de ozono y contaminantes, detección de llamas (dispositivos de seguridad contra incendios y monitoreo de gotas de aceite), prueba de intensidad de rayos ultravioleta en luz solar (regalos, artículos de cosmética), prueba de intensidad de generación ultravioleta de lámparas UV (verificación de eficiencia de desinfección en dispositivos médicos o gabinetes de desinfección civiles), etc.