Diodo fotodetector ultravioleta SGLUX de Alemania SG01L-C5/SG01L-C18
Diodo fotodetector ultravioleta SGLUX de Alemania

Diodo fotodetector ultravioleta SGLUX de Alemania - SG01L-C5/SG01L-C18

1. Utiliza material de carburo de silicio (SiC)
2. Solo aplicable a la banda UVC
3. Área de la región fotosensible de 1.0 mm2
4. Genera aproximadamente 12 nA de corriente bajo irradiación de intensidad pico de 10 uW/cm2
5. Alta estabilidad del chip (certificado por PTB de Alemania)
6. Certificación DVGW de Alemania

Modelo de producto: SG01L-C5/SG01L-C18

Introducción del producto

 Características del diodo fotodetector ultravioleta SG01L-C5/SG01L-C18:

1. Utiliza material de carburo de silicio (SiC)

2. Solo aplicable a la banda UVC

3. Área de la región fotosensible de 1.0 mm2

4. Genera aproximadamente 12 nA de corriente bajo irradiación de intensidad pico de 10 uW/cm2

5. Alta estabilidad del chip (certificado por PTB de Alemania)

6. Certificación DVGW de Alemania

Sobre el material de carburo de silicio (SiC):

El SiC tiene ventajas extremadamente especiales: puede soportar radiación de alta intensidad, es casi insensible a la luz visible, genera baja corriente oscura y tiene una respuesta rápida. Estas características hacen del SiC un material muy adecuado para fabricar detectores ultravioleta semiconductores que pueden suprimir la luz visible. Los detectores de SiC pueden funcionar a temperaturas de hasta 170 °C durante largos períodos, tienen un coeficiente de temperatura bajo (<0.1%/K) y bajo ruido, y pueden monitorear eficazmente intensidades de radiación muy bajas (requiere amplificador correspondiente).


Parámetros técnicos del diodo fotodetector ultravioleta SG01L-C5/SG01L-C18:

Modelo

SG01L-C5

SG01L-C18

Características espectrales

Sensibilidad

0.120A/W

0.120A/W

Longitud de onda típica

275nm

275nm

Rango de longitud de onda (S=0.1*Smax)

225-287nm

225-287nm

Relación de supresión de luz visible (Smax/S>405nm)

>1010

>1010

Características generales (25 °C)

Área fotosensible

1.0mm2

1.0mm2

Corriente oscura (polarización inversa de 1 V)

3.3fA

3.3fA

Capacitancia

250pF

250pF

Corriente de cortocircuito (intensidad pico de 10 uW/cm2)

Aproximadamente 12 nA

Aproximadamente 12 nA

Coeficiente de temperatura

<0.1%/K

<0.1%/K

Valores nominales

Temperatura de operación

-55~+170℃

-55~+170℃

Temperatura de almacenamiento

-55~+170℃

-55~+170℃

Temperatura de soldadura (3 s)

260℃

260℃

Voltaje inverso máximo VRmax

20V

20V

Características físicas

Sellado en carcasa metálica TO5, 1 pin aislado, 1 pin a tierra

Sellado en carcasa metálica TO18, 1 pin aislado, 1 pin a tierra


Áreas de aplicación del diodo fotodetector ultravioleta SG01L-C5/SG01L-C18:

Se utiliza principalmente para control de llamas (calderas industriales), tratamiento de agua (seguro de intensidad UV), astronomía UV (detección de matrices), seguimiento de proyectiles (cámaras ultravioleta), monitoreo de ozono y contaminantes, detección de llamas (dispositivos de seguridad contra incendios y monitoreo de gotas de aceite), prueba de intensidad de rayos ultravioleta en luz solar (regalos, artículos de cosmética), prueba de intensidad de generación ultravioleta de lámparas UV (verificación de eficiencia de desinfección en dispositivos médicos o gabinetes de desinfección civiles), etc.