Photocoupleur - 6N138

Les séries 6N138 et 6N139 combinent une diode électroluminescente infrarouge en arséniure de gallium et d'aluminium comme émetteur, couplée optiquement à un phototransistor Darlington en silicium à haute vitesse dans un boîtier DIP8 en plastique, avec différentes options de formation des broches.

La conception séparée entre la photodiode et le transistor Darlington réduit la capacité base-collecteur du transistor d'entrée, augmentant ainsi la vitesse de plusieurs ordres de grandeur par rapport aux photocoupleurs à phototransistor conventionnels.

I. Photocoupleur -Caractéristiques du 6N138 :

Isolation élevée de 5000 VRMS
Entrée continue et sortie à transistor
Plage de température de fonctionnement de -40 °C à 100 °C
Conformité à la directive REACH
Sans halogène (optionnel)
Classe MSL 1
Approbations réglementaires :
-UL - UL1577
-VDE - EN60747-5-5(VDE0884-5)
-CQC - GB4943.1

Deuxièmement, photocoupleur -Applications du 6N138 :

Récepteur de ligne à faible courant

Récepteur de boucle de courant

将接口输出到CMOS-LSTTL-TTL

Remplacement de transformateur d'impulsions

Interface de périphériques informatiques