Wafer IGBT - MWGC050N120H1
Tecnologia de trincheira e parada de campo de 1200V
Baixas perdas de comutação
Paralelismo simples
Coeficiente de temperatura positivo
Modelo do produto: MWGC050N120H1
Introdução do produto
MWGC050N120H1 é um wafer IGBT de 6 polegadas com 1200V, 50A e processo FS.
I. Características do wafer IGBT -MWGC050N120H1:
Tecnologia de trincheira e parada de campo de 1200V
Baixas perdas de comutação
Paralelismo simples
Coeficiente de temperatura positivo
II. Aplicações do wafer IGBT -MWGC050N120H1:
Acionamentos de potência média
Fontes de alimentação ininterruptas
Máquinas de solda elétrica
