Wafer IGBT - P81MV020NL0011P
Tecnologia de trincheira e parada de campo de 1200V
Baixas perdas de comutação
Coeficiente de temperatura positivo
Paralelismo simples
Modelo do produto: P81MV020NL0011P
Introdução do produto
P81MV020NL0011P é um wafer IGBT de 6 polegadas, 1200V, 25A, processo FS,6 polegadasWafer IGBT.
I. Características do wafer IGBT - P81MV020NL0011P:
Tecnologia de trincheira e parada de campo de 1200V
Baixas perdas de comutação
Coeficiente de temperatura positivo
Paralelismo simples
II.Wafer IGBT -Aplicações do P81MV020NL0011P:
Acionamentos de potência média
Fotovoltaico de 1200V
Máquinas de solda elétrica
Máquinas de costura industriais
Servomotores