Wafer IGBT P81MV020NL0011P
Wafer IGBT

Wafer IGBT - P81MV020NL0011P

Tecnologia de trincheira e parada de campo de 1200V
Baixas perdas de comutação
Coeficiente de temperatura positivo
Paralelismo simples

Modelo do produto: P81MV020NL0011P

Introdução do produto

P81MV020NL0011P é um wafer IGBT de 6 polegadas, 1200V, 25A, processo FS,6 polegadasWafer IGBT.


I. Características do wafer IGBT - P81MV020NL0011P:

Tecnologia de trincheira e parada de campo de 1200V
Baixas perdas de comutação
Coeficiente de temperatura positivo
Paralelismo simples

II.Wafer IGBT -Aplicações do P81MV020NL0011P:

Acionamentos de potência média

Fotovoltaico de 1200V

Máquinas de solda elétrica

Máquinas de costura industriais

Servomotores