Diodo fotodetector de ultravioleta SGLUX da Alemanha - SG01D–5LENS

Descrição do diodo fotodetector de ultravioleta SGLUX da Alemanha SG01D–5LENS sobre o material carboneto de silício (SiC)

O SiC possui características únicas, suporta radiação de alta intensidade, é quase insensível à luz visível, gera baixa corrente de escuro, resposta rápida e baixo ruído. Essas características tornam o SiC um excelente material para detectores de ultravioleta semicondutores de região cega visível. Os detectores de SiC podem operar continuamente em temperaturas de até 170°C (338°F). O coeficiente de temperatura do sinal (responsividade) também é baixo, < 0,1%/K. Devido ao baixo ruído (corrente de escuro na faixa de fA), é possível detectar eficientemente intensidades de radiação ultravioleta muito baixas. Observe que este dispositivo requer um amplificador correspondente. (Consulte o circuito típico na página 3).

 

Opções do diodo fotodetector de ultravioleta SGLUX da Alemanha SG01D–5LENS

Os fotodiodos de SiC estão disponíveis em sete áreas sensíveis efetivas diferentes, de 0,06 mm2 a 36 mm2. A versão padrão é UVA-UVB-UVC de banda larga.

Quatro versões filtradas resultam em faixas de sensibilidade mais restritas. Todos os fotodiodos têm carcaça metálica selada (tipo TO), com diâmetro de 5,5 mm para carcaça TO18 ou 9,2 mm para carcaça TO5. Opções adicionais são 2 pinos (1 isolado, 1 aterrado) ou 3 pinos (2 isolados, 1 aterrado).

Características do diodo fotodetector de ultravioleta SGLUX da Alemanha SG01D–5LENS

UVA+UVB+UVC de banda larga, alta estabilidade do chip relatada pelo PTB, usado para detecção de chamas

Área sensível à radiação A = 11,0 mm2
Carcaça metálica selada TO5 e lente condensadora, 1 pino isolado e 1 pino de aterramento

Radiação de pico de 10µW/cm2 gera aproximadamente 350 nA de corrente

Parâmetros do diodo fotodetector de ultravioleta SGLUX da Alemanha SG01D–5LENS

Parâmetro	Símbolo	Valor	Unidade
Características espectrais
Responsividade típica no comprimento de onda de pico	S	0，130	aw
Comprimento de onda da responsividade espectral	Λ	280	nm
Faixa de comprimento de onda de resposta (S=0,1*Smax)	-	221-358	nm
Região cega visível (Smax/S>405nm)	VB	> 1010	-
Características gerais (T=25°C)
Área sensível (tamanho do chip = 0,50 mm2)	A	11，0	mm2
Corrente de escuro (tensão reversa de 1V)	Id	1,7	fa
Capacitância	C	125	pF
Curto-circuito (pico de 10µW/cm2)	Io	350	nA
Coeficiente de temperatura	Tc	< 0,1	%/K
Valores nominais
Temperatura de operação	Topt	-55...+170	°C
Temperatura de armazenamento	Tstor	–55 … +170	°C
Temperatura de soldagem (3s)	Tsold	260	°C
Tensão reversa	VRmax	20	V