독일 SGLUX 자외선 포토다이오드 - SG01D–5LENS

독일 SGLUX 자외선 포토다이오드 SG01D–5LENS 설명 - 재료 탄화규소(SiC) 정보

SiC는 고강도 방사선을 견딜 수 있는 독특한 특성을 가지고 있으며, 가시광선에 거의 민감하지 않고, 암전류가 낮고, 응답 속도가 빠르며 노이즈가 낮습니다. 이러한 특성으로 인해 SiC는 가시광선 차단 영역의 반도체 자외선 감지기에 매우 적합한 재료입니다. SiC 감지기는 최대 170°C(338°F)의 온도에서 계속 작동할 수 있습니다. 신호(응답도)의 온도 계수도 낮아 < 0.1%/K입니다. 노이즈가 낮기 때문에(fA 수준의 암전류) 매우 낮은 자외선 방사 강도를 효과적으로 감지할 수 있습니다. 이 장치에는 해당 증폭기를 구성해야 합니다. (3페이지의 일반 회로 참조).

 

독일 SGLUX 자외선 포토다이오드 SG01D–5LENS 옵션

SiC 포토다이오드는 0.06 mm2에서 36 mm2까지 7가지 다른 유효 감지 면적을 제공합니다. 표준 버전은 광대역 UVA-UVB-UVC입니다.

4가지 필터 버전은 더 좁은 감광 범위를 제공합니다. 모든 포토다이오드는 밀폐된 금속 하우징(TO 타입)을 가지며, 직경 5.5mm의 TO18 하우징 또는 9.2mm의 TO5 하우징입니다. 추가 옵션으로 핀 2개(절연 1개, 접지 1개) 또는 핀 3개(절연 2개, 접지 1개)가 있습니다.

독일 SGLUX 자외선 포토다이오드 SG01D–5LENS 특징

광대역 UVA+UVB+UVC, PTB 보고 칩 고안정성, 화염 감지용

방사선 감지 면적 A = 11.0 mm2
TO5 밀폐 금속 하우징 및 집광 렌즈, 절연 핀 1개 및 접지 핀 1개

10µW/cm2 피크 방사선에서 약 350nA 전류 생성

독일 SGLUX 자외선 포토다이오드 SG01D–5LENS 매개변수

매개변수	기호	값	단위
분광 특성
피크 파장에서의 일반 응답도	S	0，130	aw
분광 응답도의 파장	Λ	280	nm
응답 파장 범위(S=0.1*Smax)	-	221-358	nm
가시광선 차단(Smax/S>405nm)	VB	> 1010	-
일반 특성(T=25°C)
감지 면적(칩 크기 = 0.50 mm2)	A	11，0	mm2
암전류(1V 역방향 바이어스)	Id	1,7	fa
커패시턴스	C	125	pF
단락 전류(10µW/cm2 피크)	Io	350	nA
온도 계수	Tc	< 0,1	%/K
정격 값
작동 온도	Topt	-55...+170	°C
보관 온도	Tstor	–55 … +170	°C
납땜 온도(3초)	Tsold	260	°C
역방향 전압	VRmax	20	V