Diodo fotodetector ultravioleta SGLUX de Alemania - SG01D–5LENS

Diodo fotodetector ultravioleta SGLUX de Alemania SG01D–5LENS Descripción sobre el material carburo de silicio (SiC)

El SiC tiene características únicas, puede soportar radiación de alta intensidad, es casi insensible a la luz visible, produce baja corriente oscura, rápida velocidad de respuesta y bajo ruido. Estas características hacen del SiC un material muy adecuado para detectores ultravioleta semiconductores de zona ciega visible. Los detectores de SiC pueden funcionar continuamente a temperaturas de hasta 170 °C (338 °F). El coeficiente de temperatura de la señal (responsividad) también es bajo, < 0,1%/K. Debido al bajo ruido (corriente oscura de nivel fA), puede detectar eficazmente intensidades de radiación ultravioleta muy bajas. Tenga en cuenta que este dispositivo requiere un amplificador correspondiente. (Consulte el circuito típico en la página 3).

 

Opciones del diodo fotodetector ultravioleta SGLUX de Alemania SG01D–5LENS

Los fotodiodos de SiC están disponibles en siete áreas sensibles activas diferentes, desde 0,06 mm2 hasta 36 mm2. La versión estándar es UVA-UVB-UVC de banda ancha.

Cuatro versiones filtradas resultan en rangos de sensibilidad más estrictos. Todos los fotodiodos tienen carcasas metálicas selladas (tipo TO), con carcasa TO18 de 5,5 mm de diámetro o carcasa TO5 de 9,2 mm. Otras opciones son 2 pines (1 aislado, 1 de tierra) o 3 pines (2 aislados, 1 de tierra).

Características del diodo fotodetector ultravioleta SGLUX de Alemania SG01D–5LENS

UVA+UVB+UVC de banda ancha, alta estabilidad del chip reportada por PTB, para detección de llamas

Área sensible a la radiación A = 11,0 mm2
Carcasa metálica sellada TO5 y lente condensadora, 1 pin aislado y 1 pin de tierra

10 µW/cm2 de radiación máxima genera aproximadamente 350 nA de corriente

Parámetros del diodo fotodetector ultravioleta SGLUX de Alemania SG01D–5LENS

Parámetro	Símbolo	Valor	Unidad
Características espectrales
Responsividad típica en la longitud de onda máxima	S	0，130	aw
Longitud de onda de la responsividad espectral	Λ	280	nm
Rango de longitud de onda de respuesta (S=0,1*Smax)	-	221-358	nm
Zona ciega visible (Smax/S>405nm)	VB	> 1010	-
Características generales (T=25°C)
Área sensible (tamaño de chip = 0,50 mm2)	A	11，0	mm2
Corriente oscura (polarización inversa de 1 V)	Id	1,7	fa
Capacitancia	C	125	pF
Cortocircuito (en pico de 10 µW/cm2)	Io	350	nA
Coeficiente de temperatura	Tc	< 0,1	%/K
Valores nominales
Temperatura de funcionamiento	Topt	-55...+170	°C
Temperatura de almacenamiento	Tstor	–55 … +170	°C
Temperatura de soldadura (3 s)	Tsold	260	°C
Voltaje inverso	VRmax	20	V