Fotodiodo ultravioleta SGLUX de Alemania - SG01M-A18

I. Características del fotodiodo ultravioleta SG01M-A18:

1. Material de carburo de silicio (SiC)

2. Adecuado para banda UVA

3. Área de detección efectiva de 0,2 mm2

4. Una irradiancia pico de 10 mW/cm2 genera aproximadamente 740 nA de corriente

5. Alta estabilidad del chip (certificado por PTB alemán)

II. Sobre el material de carburo de silicio (SiC):

El SiC puede soportar una dureza de radiación extrema, una zona ciega visible casi perfecta, baja corriente oscura, respuesta de alta velocidad y propiedades de bajo ruido; estas funciones hacen del SiC un material muy bueno para detectores ultravioleta de zona ciega visible. Los detectores de SiC pueden funcionar continuamente a temperaturas de hasta 170 °C, y el coeficiente de temperatura de la señal (tasa de respuesta) también es muy bajo, <0,1 %/K. Debido al bajo ruido (corriente oscura de nivel fA), las intensidades de radiación ultravioleta muy bajas también se pueden medir de manera confiable (con un amplificador adecuado).

Los fotodiodos de SiC se pueden usar como dispositivos de detección de banda ancha sin filtrar o con filtros ópticos, proporcionando respuesta a las bandas UVA, UVB y UVC.

III. Áreas de aplicación del fotodiodo ultravioleta SG01M-A18:

Se utiliza principalmente para control de llamas (calderas industriales), tratamiento de agua (seguro de intensidad UV), astronomía UV (detección de matrices), seguimiento de proyectiles (cámaras ultravioleta), monitoreo de ozono y contaminantes, detección de llamas (dispositivos de seguridad contra incendios, monitoreo de gotas de aceite), prueba de intensidad de rayos ultravioleta en luz solar (artículos de regalo, cosméticos), prueba de intensidad de generación ultravioleta de lámparas UV (verificación de eficiencia de desinfección en dispositivos médicos o gabinetes de desinfección domésticos), etc.

IV. Parámetros técnicos del fotodiodo ultravioleta SG01M-A18:

Modelo	SG01M-A5	SG01M-A18
Características espectrales
Tasa de respuesta	0.037A/W	0.037A/W
Longitud de onda típica	331nm	331nm
Rango de longitud de onda (S=0,1*Smax)	309-367nm	309-367nm
Zona ciega visible (Smax/S>405 nm)	>1010	>1010
Características generales (25 °C)
Área de detección efectiva	0.2mm2	0.2mm2
Corriente oscura (polarización inversa de 1 V)	0.7fA	0.7fA
Capacitancia	50pF	50pF
Corriente de cortocircuito (irradiancia pico de 10 mW/cm2)	Aproximadamente 740 nA	Aproximadamente 740 nA
Coeficiente de temperatura	<0.1%/K	<0.1%/K
Valores nominales
Temperatura de operación	-55～+170℃	-55～+170℃
Temperatura de almacenamiento	-55～+170℃	-55～+170℃
Temperatura de soldadura (3 s)	260℃	260℃
Voltaje inverso máximo VRmax	20V	20V
Características físicas	Encapsulado de metal T05, 1 pin aislado, 1 pin a tierra	Encapsulado de metal T018, 1 pin aislado, 1 pin a tierra