Diodo fotodetector de ultravioleta SGLUX de Alemania - Serie SG01M
1. Material de carburo de silicio (SiC)
2. Banda ancha (UVA+UVB+UVC)
3. Área de detección efectiva de 0.2mm2 (el área sensible de SG01M-51LENS es de 11.0mm2, puede detectar radiación muy débil)
4. Una irradiancia pico de 10mW/cm2 genera aproximadamente 2600nA de corriente (SG01M-51LENS con pico de 10uW/cm2 aproximadamente 140nA)
5. Alta estabilidad del chip (certificado por PTB de Alemania)
Introducción del producto
1. Características del diodo fotodetector de ultravioleta SGLUX de Alemania:
1. Material de carburo de silicio (SiC)
2. Banda ancha (UVA+UVB+UVC)
3. Área de detección efectiva de 0.2mm2 (el área sensible de SG01M-51LENS es de 11.0mm2, puede detectar radiación muy débil)
4. Una irradiancia pico de 10mW/cm2 genera aproximadamente 2600nA de corriente (SG01M-51LENS con pico de 10uW/cm2 aproximadamente 140nA)
5. Alta estabilidad del chip (certificado por PTB de Alemania)
2. Sobre el material de carburo de silicio (SiC)):
El SiC puede soportar una dureza de radiación extrema, zona ciega visible, baja corriente oscura, respuesta de alta velocidad y bajo ruido; estas características hacen del SiC un material muy adecuado para detectores ultravioleta de zona ciega visible. Los detectores de SiC puedenfuncionar a largo plazoa temperaturas de hasta 170°C, y el coeficiente de temperatura de la señal (responsividad) también es muy bajo, <0.1%/K. Debido al bajo ruido (corriente oscura de nivel fA), las intensidades de radiación ultravioleta muy bajas también se pueden medir de manera confiable (se requiere un amplificador adecuado).
Los fotodiodos de SiC se pueden usar como dispositivos de detección de banda ancha sin filtrar o con filtros ópticos, proporcionando respuesta a las bandas UVA, UVB y UVC.
3. Ámbitos de aplicación del diodo fotodetector de ultravioleta SGLUX de Alemania:
Principalmente control de llamas (calderas industriales), tratamiento de agua (seguro de intensidad UV), astronomía UV (detección de matrices), seguimiento de proyectiles (cámaras ultravioleta), monitoreo de ozono y contaminantes, detección de llamas (dispositivos de seguridad contra incendios, monitoreo de gotas de aceite), prueba de intensidad de rayos ultravioleta en luz solar (regalos, artículos de cosmética), prueba de intensidad de generación de rayos ultravioleta en lámparas UV (equipos médicos o verificación de eficiencia de desinfección de gabinetes de desinfección domésticos), etc.
4. Parámetros técnicos del diodo fotodetector de ultravioleta SGLUX de Alemania:
| Modelo |
SG01M-18 |
SG01M-18S |
SG01M-18ISO90 |
SG01M-5LENS |
| Responsividad |
0.13A/W |
0.13A/W |
0.13A/W |
0.13A/W |
| Longitud de onda típica |
280nm |
280nm |
280nm |
280nm |
| Rango de longitud de onda (S=0.1*Smax) |
221-358nm |
221-358nm |
221-358nm |
221-358nm |
| Zona ciega visible (Smax/S>405nm) |
>1010 |
>1010 |
>1010 |
>1010 |
| Área de detección efectiva |
0.2mm2 |
0.2mm2 |
0.2mm2 |
0.2mm2 (tamaño del chip) 11.0mm2 (área sensible a la radiación) |
| Corriente oscura (polarización inversa de 1V) |
0.7fA |
0.7fA |
0.7fA |
0.7fA |
| Capacitancia |
50pF |
50pF |
50pF |
50pF |
| Corriente de cortocircuito (irradiancia pico de 10mW/cm2) |
Aproximadamente 2600nA |
Aproximadamente 2600nA |
Aproximadamente 2600nA |
(pico de 10uW/cm2) aproximadamente 140nA |
| Coeficiente de temperatura |
<0.1%/K |
<0.1%/K |
<0.1%/K |
<0.1%/K |
| Temperatura de operación |
-55~+170℃ |
-55~+170℃ |
-55~+170℃ |
-55~+170℃ |
| Temperatura de almacenamiento |
-55~+170℃ |
-55~+170℃ |
-55~+170℃ |
-55~+170℃ |
| Temperatura de soldadura (3S) |
260℃ |
260℃ |
260℃ |
260℃ |
| Voltaje inverso máximo VRmax |
20V |
20V |
20V |
20V |
| Características físicas |
Sellado en carcasa metálica TO18, 1 pin aislado, 1 pin a tierra |
Sellado en carcasa metálica TO18 con tapa pequeña, 1 pin aislado, 1 pin a tierra |
Sellado en carcasa metálica TO18, 2 pines aislados, 1 pin a tierra |
Con lente de enfoque incorporada, sellado en carcasa metálica TO5, 1 pin aislado, 1 pin a tierra |