Diodo fotodetector ultravioleta SGLUX de Alemania - SG01XXL-8ISO90
1. Material de carburo de silicio (SiC)
2. Banda ancha (UVA+UVB+UVC)
3. Área de detección efectiva de 36 mm²
4. Una irradiancia pico de 10 µW/cm² genera aproximadamente 468 nA de corriente
5. Alta estabilidad del chip (certificado por PTB alemán)
Introducción del producto
Características del fotodiodo ultravioleta SG01XXL-8ISO90:
1. Material de carburo de silicio (SiC)
2. Banda ancha (UVA+UVB+UVC)
3. Área de detección efectiva de 36 mm²
4. Una irradiancia pico de 10 µW/cm² genera aproximadamente 468 nA de corriente
5. Alta estabilidad del chip (certificado por PTB alemán)
Sobre el material de carburo de silicio (SiC)):
El SiC puede soportar una dureza de radiación extrema, una región de ceguera visible casi perfecta, baja corriente oscura, respuesta de alta velocidad y propiedades especiales de bajo ruido; estas características hacen del SiC un material muy adecuado para detectores ultravioleta de región de ceguera visible. Los detectores de SiC puedena largo plazofuncionar a temperaturas de hasta 170 °C, y el coeficiente de temperatura de la señal (responsividad) también es muy bajo, <0.1%/K. Debido al bajo ruido (corriente oscura de nivel fA), las intensidades de radiación ultravioleta muy bajas también pueden medirse de manera confiable (con un amplificador adecuado).
Los fotodiodos de SiC pueden usarse como dispositivos de detección de banda ancha sin filtrar o con filtros ópticos, proporcionando respuesta en las bandas UVA, UVB y UVC.
Parámetros técnicos del fotodiodo ultravioleta SG01XXL-8ISO90:
| Modelo |
SG01F-5ISO90 |
| Responsividad |
0.13A/W |
| Longitud de onda típica |
280nm |
| Rango de longitud de onda (S=0.1*Smax) |
221-358nm |
| Región de ceguera visible (Smax/S>405nm) |
>1010 |
| Área de detección efectiva |
36mm2 |
| Corriente oscura (polarización inversa de 1 V) |
120fA |
| Capacitancia |
9000pF |
| Corriente de cortocircuito (irradiancia pico de 10 µW/cm²) |
Aproximadamente 468 nA |
| Coeficiente de temperatura |
<0.1%/K |
| Temperatura de operación |
-55~+170℃ |
| Temperatura de almacenamiento |
-55~+170℃ |
| Temperatura de soldadura (3 s) |
260℃ |
| Voltaje inverso máximo VRmax |
20V |
| Características físicas |
Carcasa metálica sellada T08, 2 pines aislados, 1 pin de tierra |
Áreas de aplicación del fotodiodo ultravioleta SG01XXL-8ISO90:
Principalmente utilizado para control de llama (calderas industriales), tratamiento de agua (seguro de intensidad UV), astronomía UV (detección en matriz), seguimiento de proyectiles (cámara ultravioleta), monitoreo de ozono y contaminantes, detección de llama (dispositivos de seguridad contra incendios y monitoreo de gotas de aceite), prueba de intensidad de rayos ultravioleta en luz solar (artículos de regalo, cosméticos), prueba de intensidad de generación ultravioleta de lámparas UV (verificación de eficiencia de desinfección en dispositivos médicos o gabinetes de desinfección domésticos), etc.