Diodo fotodetector ultravioleta SGLUX de Alemania SG01XXL-8ISO90
Diodo fotodetector ultravioleta SGLUX de Alemania

Diodo fotodetector ultravioleta SGLUX de Alemania - SG01XXL-8ISO90

1. Material de carburo de silicio (SiC)
2. Banda ancha (UVA+UVB+UVC)
3. Área de detección efectiva de 36 mm²
4. Una irradiancia pico de 10 µW/cm² genera aproximadamente 468 nA de corriente
5. Alta estabilidad del chip (certificado por PTB alemán)

Modelo del producto: SG01XXL-8ISO90

Introducción del producto

Características del fotodiodo ultravioleta SG01XXL-8ISO90:

1. Material de carburo de silicio (SiC)

2. Banda ancha (UVA+UVB+UVC)

3. Área de detección efectiva de 36 mm²

4. Una irradiancia pico de 10 µW/cm² genera aproximadamente 468 nA de corriente

5. Alta estabilidad del chip (certificado por PTB alemán)

Sobre el material de carburo de silicio (SiC)):

El SiC puede soportar una dureza de radiación extrema, una región de ceguera visible casi perfecta, baja corriente oscura, respuesta de alta velocidad y propiedades especiales de bajo ruido; estas características hacen del SiC un material muy adecuado para detectores ultravioleta de región de ceguera visible. Los detectores de SiC puedena largo plazofuncionar a temperaturas de hasta 170 °C, y el coeficiente de temperatura de la señal (responsividad) también es muy bajo, <0.1%/K. Debido al bajo ruido (corriente oscura de nivel fA), las intensidades de radiación ultravioleta muy bajas también pueden medirse de manera confiable (con un amplificador adecuado).

Los fotodiodos de SiC pueden usarse como dispositivos de detección de banda ancha sin filtrar o con filtros ópticos, proporcionando respuesta en las bandas UVA, UVB y UVC.


Parámetros técnicos del fotodiodo ultravioleta SG01XXL-8ISO90:

Modelo

SG01F-5ISO90

Responsividad

0.13A/W

Longitud de onda típica

280nm

Rango de longitud de onda (S=0.1*Smax)

221-358nm

Región de ceguera visible (Smax/S>405nm)

>1010

Área de detección efectiva

36mm2

Corriente oscura (polarización inversa de 1 V)

120fA

Capacitancia

9000pF

Corriente de cortocircuito (irradiancia pico de 10 µW/cm²)

Aproximadamente 468 nA

Coeficiente de temperatura

<0.1%/K

Temperatura de operación

-55~+170℃

Temperatura de almacenamiento

-55~+170℃

Temperatura de soldadura (3 s)

260℃

Voltaje inverso máximo VRmax

20V

Características físicas

Carcasa metálica sellada T08, 2 pines aislados, 1 pin de tierra


Áreas de aplicación del fotodiodo ultravioleta SG01XXL-8ISO90:

Principalmente utilizado para control de llama (calderas industriales), tratamiento de agua (seguro de intensidad UV), astronomía UV (detección en matriz), seguimiento de proyectiles (cámara ultravioleta), monitoreo de ozono y contaminantes, detección de llama (dispositivos de seguridad contra incendios y monitoreo de gotas de aceite), prueba de intensidad de rayos ultravioleta en luz solar (artículos de regalo, cosméticos), prueba de intensidad de generación ultravioleta de lámparas UV (verificación de eficiencia de desinfección en dispositivos médicos o gabinetes de desinfección domésticos), etc.