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Photodiode UV en carbure de silicium SGLUX Allemagne SG01XL-B5
Photodiode UV en carbure de silicium SGLUX Allemagne

Photodiode UV en carbure de silicium SGLUX Allemagne - SG01XL-B5

1. Utilisation du matériau carbure de silicium (SiC)
2. Convient uniquement à la bande UVB
3. Surface de zone photosensible 7,6 mm²
4. Génère environ 95 nA de courant sous un rayonnement d'intensité de crête de 10 µW/cm²
5. Haute stabilité de la puce (certifiée PTB allemande)

Modèle de produit : SG01XL-B5

Introduction du produit

Caractéristiques de la photodiode UV en carbure de silicium SG01XL-B5 :

1. Utilisation du matériau carbure de silicium (SiC)

2. Convient uniquement à la bande UVB

3. Surface de zone photosensible 7,6 mm²

4. Génère environ 95 nA de courant sous un rayonnement d'intensité de crête de 10 µW/cm²

5. Haute stabilité de la puce (certifiée PTB allemande)

À propos du matériau carbure de silicium (SiC) :


Le SiC présente des avantages extrêmement particuliers : il peut supporter un rayonnement de haute intensité, est presque insensible à la lumière visible, produit un faible courant d'obscurité et a une vitesse de réponse rapide. Ces caractéristiques font du SiC un excellent matériau pour la fabrication de photodétecteurs UV capables de supprimer la lumière visible. Les détecteurs SiC peuvent fonctionner à long terme à des températures allant jusqu'à 170 °C, ont un faible coefficient de température (<0,1 %/K) et un faible bruit, et peuvent surveiller efficacement des intensités de rayonnement très faibles (avec un amplificateur approprié).


Paramètres techniques de la photodiode UV en carbure de silicium SG01XL-B5 :

Modèle

SG01XL-B5

Caractéristiques spectrales

Sensibilité

0.125A/W

Longueur d'onde typique

280nm

Plage de longueurs d'onde (S = 0,1 * Smax)

231-309nm

Taux de suppression de la lumière visible (Smax/S > 405 nm)

>1010

Caractéristiques générales (25 °C)

Surface de zone photosensible

7.6mm2

Courant d'obscurité (polarisation inverse de 1 V)

25.3fA

Capacité

1900pF

Courant de court-circuit (intensité de crête de 10 µW/cm²)

Environ 95 nA

Coefficient de température

<0.1%/K

Valeurs nominales

Température de fonctionnement

-55~+170℃

Température de stockage

-55~+170℃

Température de soudage (3 s)

260℃

Tension inverse maximale VRmax

20V

Caractéristiques physiques

Boîtier métallique TO5 scellé, 1 broche isolée, 1 broche mise à la terre


Domaines d'application de la photodiode UV en carbure de silicium SG01XL-B5 :

Principalement utilisé pour le contrôle de flamme (chaudières industrielles), le traitement de l'eau (assurance de l'intensité UV), l'astronomie UV (détection en réseau), le suivi de projectiles (caméras UV), la surveillance de l'ozone et des polluants, la détection de flamme (dispositifs de sécurité incendie, détection de gouttelettes d'huile), le test de l'intensité UV dans la lumière solaire (cadeaux, cosmétiques), le test d'intensité UV des lampes UV (dispositifs médicaux ou vérification de l'efficacité de désinfection des armoires de désinfection domestiques), etc.