Diodo fotodetector ultravioleta de carburo de silicio SGLUX de Alemania - SG01XL-B5
1. Utiliza material de carburo de silicio (SiC)
2. Solo adecuado para la banda UVB
3. Área de la región fotosensible de 7.6 mm²
4. Genera aproximadamente 95 nA de corriente bajo una irradiancia de pico de 10 µW/cm²
5. Alta estabilidad del chip (certificado por PTB de Alemania)
Introducción del producto
Características del diodo fotodetector ultravioleta de carburo de silicio SG01XL-B5:
1. Utiliza material de carburo de silicio (SiC)
2. Solo adecuado para la banda UVB
3. Área de la región fotosensible de 7.6 mm²
4. Genera aproximadamente 95 nA de corriente bajo una irradiancia de pico de 10 µW/cm²
5. Alta estabilidad del chip (certificado por PTB de Alemania)
Sobre el material de carburo de silicio (SiC):
El SiC tiene ventajas extremadamente especiales: puede soportar radiación de alta intensidad, es casi insensible a la luz visible, genera baja corriente oscura y tiene una respuesta rápida. Estas características hacen que el SiC sea un material excelente para fabricar detectores de radiación ultravioleta semiconductores que pueden suprimir la luz visible. Los detectores de SiC pueden funcionar durante mucho tiempo a temperaturas de hasta 170 °C, tienen un coeficiente de temperatura bajo (<0.1 %/K) y bajo ruido, y pueden monitorear eficazmente niveles de radiación muy bajos (requiere un amplificador adecuado).
Parámetros técnicos del diodo fotodetector ultravioleta de carburo de silicio SG01XL-B5:
| Modelo |
SG01XL-B5 |
| Características espectrales |
|
| Sensibilidad |
0.125A/W |
| Longitud de onda típica |
280nm |
| Rango de longitud de onda (S=0.1*Smax) |
231-309nm |
| Relación de supresión de luz visible (Smax/S>405nm) |
>1010 |
| Características generales (25 °C) |
|
| Área de la región fotosensible |
7.6mm2 |
| Corriente oscura (polarización inversa de 1 V) |
25.3fA |
| Capacitancia |
1900pF |
| Corriente de cortocircuito (irradiancia de pico de 10 µW/cm²) |
Aproximadamente 95 nA |
| Coeficiente de temperatura |
<0.1%/K |
| Valores nominales |
|
| Temperatura de operación |
-55~+170℃ |
| Temperatura de almacenamiento |
-55~+170℃ |
| Temperatura de soldadura (3 s) |
260℃ |
| Voltaje inverso máximo VRmax |
20V |
| Características físicas |
Encapsulado en carcasa metálica TO5, pin 1 aislado, pin 1 conectado a tierra |
Áreas de aplicación del diodo fotodetector ultravioleta de carburo de silicio SG01XL-B5:
Se utiliza principalmente para control de llamas (calderas industriales), tratamiento de agua (seguro de intensidad UV), astronomía UV (detección de matrices), seguimiento de proyectiles (cámaras ultravioleta), monitoreo de ozono y contaminantes, detección de llamas (dispositivos de seguridad contra incendios, monitoreo de gotas de aceite), prueba de intensidad de rayos ultravioleta en la luz solar (regalos, artículos de cosmética), prueba de intensidad de generación de rayos ultravioleta de lámparas UV (equipos médicos o verificación de eficiencia de desinfección de gabinetes de desinfección domésticos), etc.