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Diodo fotodetector ultravioleta de carburo de silicio SGLUX de Alemania SG01XL-B5
Diodo fotodetector ultravioleta de carburo de silicio SGLUX de Alemania

Diodo fotodetector ultravioleta de carburo de silicio SGLUX de Alemania - SG01XL-B5

1. Utiliza material de carburo de silicio (SiC)
2. Solo adecuado para la banda UVB
3. Área de la región fotosensible de 7.6 mm²
4. Genera aproximadamente 95 nA de corriente bajo una irradiancia de pico de 10 µW/cm²
5. Alta estabilidad del chip (certificado por PTB de Alemania)

Modelo del producto: SG01XL-B5

Introducción del producto

Características del diodo fotodetector ultravioleta de carburo de silicio SG01XL-B5:

1. Utiliza material de carburo de silicio (SiC)

2. Solo adecuado para la banda UVB

3. Área de la región fotosensible de 7.6 mm²

4. Genera aproximadamente 95 nA de corriente bajo una irradiancia de pico de 10 µW/cm²

5. Alta estabilidad del chip (certificado por PTB de Alemania)

Sobre el material de carburo de silicio (SiC):


El SiC tiene ventajas extremadamente especiales: puede soportar radiación de alta intensidad, es casi insensible a la luz visible, genera baja corriente oscura y tiene una respuesta rápida. Estas características hacen que el SiC sea un material excelente para fabricar detectores de radiación ultravioleta semiconductores que pueden suprimir la luz visible. Los detectores de SiC pueden funcionar durante mucho tiempo a temperaturas de hasta 170 °C, tienen un coeficiente de temperatura bajo (<0.1 %/K) y bajo ruido, y pueden monitorear eficazmente niveles de radiación muy bajos (requiere un amplificador adecuado).


Parámetros técnicos del diodo fotodetector ultravioleta de carburo de silicio SG01XL-B5:

Modelo

SG01XL-B5

Características espectrales

Sensibilidad

0.125A/W

Longitud de onda típica

280nm

Rango de longitud de onda (S=0.1*Smax)

231-309nm

Relación de supresión de luz visible (Smax/S>405nm)

>1010

Características generales (25 °C)

Área de la región fotosensible

7.6mm2

Corriente oscura (polarización inversa de 1 V)

25.3fA

Capacitancia

1900pF

Corriente de cortocircuito (irradiancia de pico de 10 µW/cm²)

Aproximadamente 95 nA

Coeficiente de temperatura

<0.1%/K

Valores nominales

Temperatura de operación

-55~+170℃

Temperatura de almacenamiento

-55~+170℃

Temperatura de soldadura (3 s)

260℃

Voltaje inverso máximo VRmax

20V

Características físicas

Encapsulado en carcasa metálica TO5, pin 1 aislado, pin 1 conectado a tierra


Áreas de aplicación del diodo fotodetector ultravioleta de carburo de silicio SG01XL-B5:

Se utiliza principalmente para control de llamas (calderas industriales), tratamiento de agua (seguro de intensidad UV), astronomía UV (detección de matrices), seguimiento de proyectiles (cámaras ultravioleta), monitoreo de ozono y contaminantes, detección de llamas (dispositivos de seguridad contra incendios, monitoreo de gotas de aceite), prueba de intensidad de rayos ultravioleta en la luz solar (regalos, artículos de cosmética), prueba de intensidad de generación de rayos ultravioleta de lámparas UV (equipos médicos o verificación de eficiencia de desinfección de gabinetes de desinfección domésticos), etc.