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Photodiode ultraviolette SGLUX Allemagne SG01D-C18
Photodiode ultraviolet SGLUX Allemagne

Photodiode ultraviolette SGLUX Allemagne - SG01D-C18

1. Utilisation de matériau carbure de silicium (SiC)
2. Convient uniquement à la bande UVC
3. Surface de zone photosensible 0,5 mm²
4. Sous irradiation de 10 µW/cm² d'intensité de rayonnement de crête, génère environ 6 nA de courant
5. Haute stabilité de la puce (certifiée par le PTB allemand)
6. Certification DVGW allemande

Modèle de produit : SG01D-C18

Présentation du produit

 I. Caractéristiques de la photodiode ultraviolette SG01D-C18 :

1. Utilisation de matériau carbure de silicium (SiC)

2. Convient uniquement à la bande UVC

3. Surface de zone photosensible 0,5 mm²

4. Sous irradiation de 10 µW/cm² d'intensité de rayonnement de crête, génère environ 6 nA de courant

5. Haute stabilité de la puce (certifiée par le PTB allemand)

6. Certification DVGW allemande


II. À propos du matériau carbure de silicium (SiC) :

Le SiC présente des avantages extrêmement particuliers : il peut supporter des rayonnements de haute intensité, est presque insensible à la lumière visible, produit un faible courant d'obscurité et a une vitesse de réponse rapide. Ces caractéristiques font du SiC un excellent matériau pour la fabrication de détecteurs ultraviolets à semi-conducteurs capables de supprimer la lumière visible. Les détecteurs SiC peuvent fonctionner à long terme à des températures allant jusqu'à 170 °C, ont un faible coefficient de température (<0,1 %/K) et un faible bruit, et peuvent surveiller efficacement des intensités de rayonnement très faibles (avec un amplificateur approprié).


III. Paramètres techniques de la photodiode ultraviolette SG01D-C18 :

Modèle

SG01D-C18

Caractéristiques spectrales

Sensibilité

0.120A/W

Longueur d'onde typique

275nm

Plage de longueurs d'onde (S=0,1*Smax)

225-287nm

Taux de suppression de la lumière visible (Smax/S>405 nm)

>1010

Caractéristiques générales (25 °C)

Surface de zone photosensible

0.5mm2

Courant d'obscurité (polarisation inverse de 1 V)

1.7fA

Capacité

125pF

Courant de court-circuit (10 µW/cm² d'intensité de rayonnement de crête)

Environ 6 nA

Coefficient de température

<0.1%/K

Valeurs nominales

Température de fonctionnement

-55~+170℃

Température de stockage

-55~+170℃

Température de soudure (3 s)

260℃

Tension inverse maximale VRmax

20V

Caractéristiques physiques

Boîtier métallique TO18 scellé, 1 broche isolée, 1 broche mise à la terre


IV. Domaines d'application de la photodiode ultraviolette SG01D-C18 :

Principalement utilisée pour le contrôle de flamme (chaudières industrielles), le traitement de l'eau (assurance de l'intensité UV), l'astronomie UV (détection en réseau), le suivi de projectiles (caméras ultraviolettes), la surveillance de l'ozone et des polluants, la détection de flamme (dispositifs de sécurité incendie, surveillance de gouttelettes d'huile), le test de l'intensité des UV dans la lumière solaire (cadeaux, outils cosmétiques), le test de l'intensité de génération UV des lampes UV (vérification de l'efficacité de désinfection des dispositifs médicaux ou des armoires de désinfection civiles), etc.