Fotodiodo ultravioleta alemán SGLUX - SG01D-C18
1. Utiliza material de carburo de silicio (SiC)
2. Solo aplicable a la banda UVC
3. Área de la región fotosensible: 0.5 mm²
4. Bajo irradiación de intensidad máxima de 10 uW/cm², genera aproximadamente 6 nA de corriente
5. Alta estabilidad del chip (certificado por PTB alemán)
6. Certificación DVGW alemana
Introducción del producto
I. Características del fotodiodo ultravioleta SG01D-C18:
1. Utiliza material de carburo de silicio (SiC)
2. Solo aplicable a la banda UVC
3. Área de la región fotosensible: 0.5 mm²
4. Bajo irradiación de intensidad máxima de 10 uW/cm², genera aproximadamente 6 nA de corriente
5. Alta estabilidad del chip (certificado por PTB alemán)
6. Certificación DVGW alemana
II. Sobre el material de carburo de silicio (SiC):
El SiC tiene ventajas extremadamente especiales: puede soportar radiación de alta intensidad, es casi insensible a la luz visible, genera baja corriente oscura y tiene una respuesta rápida. Estas características hacen del SiC un material excelente para fabricar detectores ultravioleta semiconductores que pueden suprimir la luz visible. Los detectores de SiC pueden funcionar a largo plazo a temperaturas de hasta 170 °C, tienen un coeficiente de temperatura bajo (<0.1 %/K) y bajo ruido, y pueden monitorear eficazmente intensidades de radiación muy bajas (requiere amplificador correspondiente).
III. Parámetros técnicos del fotodiodo ultravioleta SG01D-C18:
| Modelo |
SG01D-C18 |
| Características espectrales |
|
| Sensibilidad |
0.120A/W |
| Valor típico de longitud de onda |
275nm |
| Rango de longitud de onda (S=0.1*Smax) |
225-287nm |
| Relación de supresión de luz visible (Smax/S>405nm) |
>1010 |
| Características generales (25 °C) |
|
| Área de la región fotosensible |
0.5mm2 |
| Corriente oscura (polarización inversa de 1 V) |
1.7fA |
| Capacitancia |
125pF |
| Corriente de cortocircuito (intensidad máxima de 10 uW/cm²) |
Aproximadamente 6 nA |
| Coeficiente de temperatura |
<0.1%/K |
| Valores nominales |
|
| Temperatura de operación |
-55~+170℃ |
| Temperatura de almacenamiento |
-55~+170℃ |
| Temperatura de soldadura (3 s) |
260℃ |
| Voltaje inverso máximo VRmax |
20V |
| Características físicas |
Sellado en carcasa metálica TO18, pin 1 aislado, pin 1 conectado a tierra |
IV. Áreas de aplicación del fotodiodo ultravioleta SG01D-C18:
Se utiliza principalmente para control de llamas (calderas industriales), tratamiento de agua (seguro de intensidad UV), astronomía UV (detección de matrices), seguimiento de proyectiles (cámaras ultravioleta), monitoreo de ozono y contaminantes, detección de llamas (dispositivos de seguridad contra incendios, monitoreo de gotas de aceite), prueba de intensidad de rayos ultravioleta en luz solar (regalos, artículos de cosmética), prueba de intensidad de generación ultravioleta de lámparas UV (verificación de eficiencia de desinfección en dispositivos médicos o gabinetes de desinfección domésticos), etc.