Photodiode UV SGLUX Allemagne - SG01L-B5/SG01L-B18

Caractéristiques de la photodiode UV en carbure de silicium SG01L-B5/SG01L-B18 :

1. Utilisation du matériau carbure de silicium (SiC)

2. Convient uniquement à la bande UVB

3. Surface de zone photosensible 1,0 mm²

4. Produit un courant d'environ 12,5 nA sous une intensité de rayonnement de crête de 10 µW/cm²

5. Haute stabilité de la puce (certifiée PTB Allemagne)

À propos du matériau carbure de silicium (SiC) :

Le SiC présente des avantages extrêmement particuliers : il peut supporter des rayonnements de haute intensité, est presque insensible à la lumière visible, produit un courant d'obscurité faible et a une vitesse de réponse rapide. Ces caractéristiques font du SiC un excellent matériau pour fabriquer des détecteurs UV semi-conducteurs capables de supprimer la lumière visible. Les détecteurs SiC peuvent fonctionner à long terme à des températures allant jusqu'à 170 °C, ont un faible coefficient de température (<0,1 %/K) et un faible bruit, et peuvent surveiller efficacement des intensités de rayonnement très faibles (nécessitant un amplificateur approprié).

Paramètres techniques de la photodiode UV en carbure de silicium SG01L-B5/SG01L-B18 :

Modèle	SG01L-B5	SG01L-B18
Caractéristiques spectrales
Sensibilité	0.125A/W	0.125A/W
Longueur d'onde typique	280nm	280nm
Plage de longueurs d'onde (S=0,1*Smax)	231-309nm	231-309nm
Taux de suppression de la lumière visible (Smax/S>405 nm)	>1010	>1010
Caractéristiques générales (25 °C)
Surface de zone photosensible	1.0mm2	1.0mm2
Courant d'obscurité (polarisation inverse de 1 V)	3.3fA	3.3fA
Capacité	250pF	250pF
Courant de court-circuit (intensité de rayonnement de crête de 10 µW/cm²)	Environ 12,5 nA	Environ 12,5 nA
Coefficient de température	<0.1%/K	<0.1%/K
Valeurs nominales
Température de fonctionnement	-55～+170℃	-55～+170℃
Température de stockage	-55～+170℃	-55～+170℃
Température de soudure (3 s)	260℃	260℃
Tension inverse maximale VRmax	20V	20V
Caractéristiques physiques	Boîtier métallique TO5 scellé, 1 broche isolée, 1 broche mise à la terre	Boîtier métallique TO18 scellé, 1 broche isolée, 1 broche mise à la terre

 Domaines d'application de la photodiode UV en carbure de silicium SG01L-B5/SG01L-B18 :

Principalement utilisée pour le contrôle de flamme (chaudières industrielles), le traitement de l'eau (assurance de l'intensité UV), l'astronomie UV (détection en réseau), le suivi de projectiles (caméras UV), la surveillance de l'ozone et des polluants, la détection de flamme (dispositifs de sécurité incendie, surveillance de gouttelettes d'huile), le test de l'intensité des UV dans la lumière solaire (cadeaux, accessoires cosmétiques), le test de l'intensité de génération UV des lampes UV (dispositifs médicaux ou vérification de l'efficacité de désinfection des armoires de désinfection civiles), etc.