제품 소개
탄화규소 자외선 포토다이오드 SG01L-B5/SG01L-B18 특성:
1, 탄화규소(SiC) 재료 사용
2, UVB 대역에만 적용
3, 광감지 영역 면적 1.0mm2
4, 10uW/cm2 피크 방사 조사 시 약 12.5nA 전류 생성
5, 칩 높은 안정성(독일 PTB 인증 통과)
탄화규소 재료(SiC)에 대해:
SiC는 매우 특별한 장점을 가지고 있으며, 고강도 방사선을 견딜 수 있고, 가시광선에 거의 민감하지 않으며, 암전류가 낮고, 응답 속도가 빠릅니다. 이러한 특성으로 인해 SiC는 가시광선을 억제하여 반도체 자외선 감지기를 만드는 데 매우 좋은 재료입니다. SiC 감지기는 최대 170℃의 온도에서 장기간 작동할 수 있으며, 온도 계수가 낮고(<0.1%/K) 노이즈가 낮아 매우 낮은 방사 강도를 효과적으로 모니터링할 수 있습니다(해당 증폭기 필요).
탄화규소 자외선 포토다이오드 SG01L-B5/SG01L-B18 기술 매개변수:
| 모델 |
SG01L-B5 |
SG01L-B18 |
| 분광 특성 |
||
| 감도 |
0.125A/W |
0.125A/W |
| 파장 대표값 |
280nm |
280nm |
| 파장 범위(S=0.1*Smax) |
231-309nm |
231-309nm |
| 가시광선 억제비(Smax/S>405nm) |
>1010 |
>1010 |
| 일반 특성(25℃) |
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| 광감지 영역 면적 |
1.0mm2 |
1.0mm2 |
| 암전류(1V 역방향 바이어스) |
3.3fA |
3.3fA |
| 커패시턴스 |
250pF |
250pF |
| 단락 전류(10uW/cm2 피크 방사 강도) |
약 12.5nA |
약 12.5nA |
| 온도 계수 |
<0.1%/K |
<0.1%/K |
| 정격 값 |
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| 작동 온도 |
-55～+170℃ |
-55～+170℃ |
| 보관 온도 |
-55～+170℃ |
-55～+170℃ |
| 납땜 온도(3초) |
260℃ |
260℃ |
| 역방향 전압 VRmax |
20V |
20V |
| 물리적 특성 |
TO5 금속 케이스 밀봉, 1핀 절연, 1핀 접지 |
TO18 금속 케이스 밀봉, 1핀 절연, 1핀 접지 |
탄화규소 자외선 포토다이오드 SG01L-B5/SG01L-B18 응용 분야:
주로 화염 제어(산업용 보일러), 수처리(UV 강도 보험), UV 천문(어레이 감지), 탄도 추적(자외선 카메라), 오존 및 오염물질 모니터링, 화염 감지(화재 경보 안전 장치 오일 방울 모니터링), 태양광의 자외선 강도 테스트(선물, 화장품 도구), 자외선 램프의 자외선 발생 강도 테스트(의료 기기 또는 민용 소독 캐비닛의 소독 효율 검사) 등에 사용됩니다.
