Diodo fotodetector de ultravioleta SGLUX da Alemanha - SG01L-B5/SG01L-B18
1. Feito de material de carboneto de silício (SiC)
2. Aplicável apenas à banda UVB
3. Área da região fotossensível de 1,0 mm²
4. Gera aproximadamente 12,5 nA de corrente sob irradiação de pico de 10 uW/cm²
5. Alta estabilidade do chip (certificado pelo PTB da Alemanha)
Introdução do produto
Características do diodo fotodetector de ultravioleta de carboneto de silício SG01L-B5/SG01L-B18:
1. Feito de material de carboneto de silício (SiC)
2. Aplicável apenas à banda UVB
3. Área da região fotossensível de 1,0 mm²
4. Gera aproximadamente 12,5 nA de corrente sob irradiação de pico de 10 uW/cm²
5. Alta estabilidade do chip (certificado pelo PTB da Alemanha)
Sobre o material de carboneto de silício (SiC):
O SiC possui vantagens extremamente especiais, pode suportar radiação de alta intensidade, é quase insensível à luz visível, gera baixa corrente escura e tem resposta rápida. Essas características tornam o SiC um excelente material para suprimir a luz visível e fabricar detectores de ultravioleta semicondutores. Os detectores de SiC podem operar por longos períodos em temperaturas de até 170°C, com baixo coeficiente de temperatura (<0,1%/K) e baixo ruído, podendo monitorar efetivamente intensidades de radiação muito baixas (requer amplificador correspondente).
Parâmetros técnicos do diodo fotodetector de ultravioleta de carboneto de silício SG01L-B5/SG01L-B18:
| Modelo |
SG01L-B5 |
SG01L-B18 |
| Características espectrais |
||
| Sensibilidade |
0.125A/W |
0.125A/W |
| Comprimento de onda típico |
280nm |
280nm |
| Faixa de comprimento de onda (S=0,1*Smax) |
231-309nm |
231-309nm |
| Taxa de rejeição de luz visível (Smax/S>405nm) |
>1010 |
>1010 |
| Características gerais (25°C) |
||
| Área da região fotossensível |
1.0mm2 |
1.0mm2 |
| Corrente escura (tensão reversa de 1V) |
3.3fA |
3.3fA |
| Capacitância |
250pF |
250pF |
| Corrente de curto-circuito (irradiação de pico de 10 uW/cm²) |
Aproximadamente 12,5 nA |
Aproximadamente 12,5 nA |
| Coeficiente de temperatura |
<0.1%/K |
<0.1%/K |
| Valores nominais |
||
| Temperatura de operação |
-55~+170℃ |
-55~+170℃ |
| Temperatura de armazenamento |
-55~+170℃ |
-55~+170℃ |
| Temperatura de soldagem (3s) |
260℃ |
260℃ |
| Tensão reversa máxima VRmax |
20V |
20V |
| Características físicas |
Selado em invólucro metálico TO5, 1 pino isolado, 1 pino aterrado |
Selado em invólucro metálico TO18, 1 pino isolado, 1 pino aterrado |
Áreas de aplicação do diodo fotodetector de ultravioleta de carboneto de silício SG01L-B5/SG01L-B18:
Usado principalmente para controle de chamas (caldeiras industriais), tratamento de água (seguro de intensidade UV), astronomia UV (detecção em matriz), rastreamento de projéteis (câmeras de ultravioleta), monitoramento de ozônio e poluentes, detecção de chamas (dispositivos de segurança contra incêndio, monitoramento de gotas de óleo), teste da intensidade de ultravioleta na luz solar (presentes, utensílios de cosméticos), teste da intensidade de radiação ultravioleta de lâmpadas UV (equipamentos médicos ou verificação da eficiência de desinfecção de armários de desinfecção domésticos), etc.