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Photodiode ultraviolette SGLUX Allemagne SG01M-C5
Photodiode ultraviolet SGLUX Allemagne

Photodiode ultraviolette SGLUX Allemagne - SG01M-C5

1. Utilisation de matériau carbure de silicium (SiC)
2. Convient uniquement à la bande UVC
3. Surface de zone photosensible 0,2 mm²
4. Produit environ 2400 nA de courant sous un rayonnement d'intensité crête de 10 mW/cm²
5. Haute stabilité de la puce (certifiée PTB Allemagne)
6. Certification DVGW Allemagne

Modèle de produit : SG01M-C5

Introduction du produit

Caractéristiques de la photodiode ultraviolette SG01M-C5 :

1. Utilisation de matériau carbure de silicium (SiC)

2. Convient uniquement à la bande UVC

3. Surface de zone photosensible 0,2 mm²

4. Produit environ 2400 nA de courant sous un rayonnement d'intensité crête de 10 mW/cm²

5. Haute stabilité de la puce (certifiée PTB Allemagne)

6. Certification DVGW Allemagne

À propos du matériau carbure de silicium (SiC) :

Le SiC présente des avantages extrêmement particuliers : il peut supporter un rayonnement de haute intensité, est presque insensible à la lumière visible, produit un faible courant d'obscurité et a une vitesse de réponse rapide. Ces caractéristiques font du SiC un excellent matériau pour la fabrication de détecteurs ultraviolets à semi-conducteurs capables de supprimer la lumière visible. Les détecteurs SiC peuvent fonctionner à long terme à des températures allant jusqu'à 170 °C, ont un faible coefficient de température (<0,1 %/K) et un faible bruit, et peuvent surveiller efficacement des intensités de rayonnement très faibles (nécessitant un amplificateur approprié).


Paramètres techniques de la photodiode ultraviolette SG01M-C5 :

Modèle

SG01M-C5

Caractéristiques spectrales

Sensibilité

0.120A/W

Longueur d'onde typique

275nm

Plage de longueurs d'onde (S=0,1*Smax)

225-287nm

Taux de suppression de la lumière visible (Smax/S>405nm)

>1010

Caractéristiques générales (25 °C)

Surface de zone photosensible

0.2mm2

Courant d'obscurité (polarisation inverse 1 V)

0.7fA

Capacité

50pF

Courant de court-circuit (éclairement énergétique crête de 10 mW/cm²)

Environ 2400 nA

Coefficient de température

<0.1%/K

Valeurs nominales

Température de fonctionnement

-55~+170℃

Température de stockage

-55~+170℃

Température de soudure (3 s)

260℃

Tension inverse maximale VRmax

20V

Caractéristiques physiques

Boîtier métallique TO5 scellé, 1 broche isolée, 1 broche mise à la terre


Domaines d'application de la photodiode ultraviolette SG01M-C5 :

Principalement utilisé pour le contrôle de flamme (chaudières industrielles), le traitement de l'eau (assurance de l'intensité UV), l'astronomie UV (détection en réseau), le suivi de projectiles (caméras ultraviolettes), la surveillance de l'ozone et des polluants, la détection de flamme (dispositifs de sécurité incendie, détection de gouttelettes d'huile), le test de l'intensité des rayons ultraviolets dans la lumière solaire (cadeaux, accessoires cosmétiques), le test de l'intensité de génération UV des lampes ultraviolettes (vérification de l'efficacité de désinfection des dispositifs médicaux ou des armoires de désinfection civiles), etc.