Photodiode ultraviolette SGLUX Allemagne - SG01M-C5
1. Utilisation de matériau carbure de silicium (SiC)
2. Convient uniquement à la bande UVC
3. Surface de zone photosensible 0,2 mm²
4. Produit environ 2400 nA de courant sous un rayonnement d'intensité crête de 10 mW/cm²
5. Haute stabilité de la puce (certifiée PTB Allemagne)
6. Certification DVGW Allemagne
Introduction du produit
Caractéristiques de la photodiode ultraviolette SG01M-C5 :
1. Utilisation de matériau carbure de silicium (SiC)
2. Convient uniquement à la bande UVC
3. Surface de zone photosensible 0,2 mm²
4. Produit environ 2400 nA de courant sous un rayonnement d'intensité crête de 10 mW/cm²
5. Haute stabilité de la puce (certifiée PTB Allemagne)
6. Certification DVGW Allemagne
À propos du matériau carbure de silicium (SiC) :
Le SiC présente des avantages extrêmement particuliers : il peut supporter un rayonnement de haute intensité, est presque insensible à la lumière visible, produit un faible courant d'obscurité et a une vitesse de réponse rapide. Ces caractéristiques font du SiC un excellent matériau pour la fabrication de détecteurs ultraviolets à semi-conducteurs capables de supprimer la lumière visible. Les détecteurs SiC peuvent fonctionner à long terme à des températures allant jusqu'à 170 °C, ont un faible coefficient de température (<0,1 %/K) et un faible bruit, et peuvent surveiller efficacement des intensités de rayonnement très faibles (nécessitant un amplificateur approprié).
Paramètres techniques de la photodiode ultraviolette SG01M-C5 :
| Modèle |
SG01M-C5 |
| Caractéristiques spectrales |
|
| Sensibilité |
0.120A/W |
| Longueur d'onde typique |
275nm |
| Plage de longueurs d'onde (S=0,1*Smax) |
225-287nm |
| Taux de suppression de la lumière visible (Smax/S>405nm) |
>1010 |
| Caractéristiques générales (25 °C) |
|
| Surface de zone photosensible |
0.2mm2 |
| Courant d'obscurité (polarisation inverse 1 V) |
0.7fA |
| Capacité |
50pF |
| Courant de court-circuit (éclairement énergétique crête de 10 mW/cm²) |
Environ 2400 nA |
| Coefficient de température |
<0.1%/K |
| Valeurs nominales |
|
| Température de fonctionnement |
-55~+170℃ |
| Température de stockage |
-55~+170℃ |
| Température de soudure (3 s) |
260℃ |
| Tension inverse maximale VRmax |
20V |
| Caractéristiques physiques |
Boîtier métallique TO5 scellé, 1 broche isolée, 1 broche mise à la terre |
Domaines d'application de la photodiode ultraviolette SG01M-C5 :
Principalement utilisé pour le contrôle de flamme (chaudières industrielles), le traitement de l'eau (assurance de l'intensité UV), l'astronomie UV (détection en réseau), le suivi de projectiles (caméras ultraviolettes), la surveillance de l'ozone et des polluants, la détection de flamme (dispositifs de sécurité incendie, détection de gouttelettes d'huile), le test de l'intensité des rayons ultraviolets dans la lumière solaire (cadeaux, accessoires cosmétiques), le test de l'intensité de génération UV des lampes ultraviolettes (vérification de l'efficacité de désinfection des dispositifs médicaux ou des armoires de désinfection civiles), etc.