Diodo fotodetector ultravioleta SGLUX de Alemania - SG01M-C5
1. Fabricado con material de carburo de silicio (SiC)
2. Apto solo para banda UVC
3. Área de la región fotosensible: 0.2 mm²
4. Genera aproximadamente 2400 nA de corriente bajo irradiación de intensidad máxima de 10 mW/cm²
5. Alta estabilidad del chip (certificado por PTB de Alemania)
6. Certificación DVGW de Alemania
Introducción del producto
Características del diodo fotodetector ultravioleta SG01M-C5:
1. Fabricado con material de carburo de silicio (SiC)
2. Apto solo para banda UVC
3. Área de la región fotosensible: 0.2 mm²
4. Genera aproximadamente 2400 nA de corriente bajo irradiación de intensidad máxima de 10 mW/cm²
5. Alta estabilidad del chip (certificado por PTB de Alemania)
6. Certificación DVGW de Alemania
Sobre el material de carburo de silicio (SiC):
El SiC tiene ventajas extremadamente especiales: puede soportar radiación de alta intensidad, es casi insensible a la luz visible, genera baja corriente oscura y tiene una velocidad de respuesta rápida. Estas características hacen del SiC un material excelente para fabricar detectores de rayos ultravioleta semiconductores que pueden suprimir la luz visible. Los detectores de SiC pueden operar a largo plazo a temperaturas de hasta 170 °C, tienen un coeficiente de temperatura bajo (<0.1%/K) y bajo ruido, y pueden monitorear eficazmente intensidades de radiación muy bajas (se requiere un amplificador correspondiente).
Parámetros técnicos del diodo fotodetector ultravioleta SG01M-C5:
| Modelo |
SG01M-C5 |
| Características espectrales |
|
| Sensibilidad |
0.120A/W |
| Valor típico de longitud de onda |
275nm |
| Rango de longitud de onda (S=0.1*Smax) |
225-287nm |
| Relación de supresión de luz visible (Smax/S>405nm) |
>1010 |
| Características generales (25 °C) |
|
| Área de la región fotosensible |
0.2mm2 |
| Corriente oscura (polarización inversa de 1 V) |
0.7fA |
| Capacitancia |
50pF |
| Corriente de cortocircuito (irradiación máxima de 10 mW/cm²) |
Aproximadamente 2400 nA |
| Coeficiente de temperatura |
<0.1%/K |
| Valores nominales |
|
| Temperatura de operación |
-55~+170℃ |
| Temperatura de almacenamiento |
-55~+170℃ |
| Temperatura de soldadura (3 s) |
260℃ |
| Voltaje inverso máximo VRmax |
20V |
| Características físicas |
Encapsulado en carcasa metálica TO5, pin 1 aislado, pin 1 conectado a tierra |
Áreas de aplicación del diodo fotodetector ultravioleta SG01M-C5:
Se utiliza principalmente en control de llamas (calderas industriales), tratamiento de agua (seguro de intensidad UV), astronomía UV (detección de matrices), seguimiento de proyectiles (cámaras ultravioleta), monitoreo de ozono y contaminantes, detección de llamas (dispositivos de seguridad contra incendios, monitoreo de gotas de aceite), prueba de intensidad de rayos ultravioleta en luz solar (regalos, artículos de cosmética), prueba de intensidad de generación de rayos ultravioleta en lámparas UV (verificación de eficiencia de desinfección en dispositivos médicos o gabinetes de desinfección domésticos), etc.