Diodo fotodetector ultravioleta SGLUX de Alemania SG01M-C5
Diodo fotodetector ultravioleta SGLUX de Alemania

Diodo fotodetector ultravioleta SGLUX de Alemania - SG01M-C5

1. Fabricado con material de carburo de silicio (SiC)
2. Apto solo para banda UVC
3. Área de la región fotosensible: 0.2 mm²
4. Genera aproximadamente 2400 nA de corriente bajo irradiación de intensidad máxima de 10 mW/cm²
5. Alta estabilidad del chip (certificado por PTB de Alemania)
6. Certificación DVGW de Alemania

Modelo del producto: SG01M-C5

Introducción del producto

Características del diodo fotodetector ultravioleta SG01M-C5:

1. Fabricado con material de carburo de silicio (SiC)

2. Apto solo para banda UVC

3. Área de la región fotosensible: 0.2 mm²

4. Genera aproximadamente 2400 nA de corriente bajo irradiación de intensidad máxima de 10 mW/cm²

5. Alta estabilidad del chip (certificado por PTB de Alemania)

6. Certificación DVGW de Alemania

Sobre el material de carburo de silicio (SiC):

El SiC tiene ventajas extremadamente especiales: puede soportar radiación de alta intensidad, es casi insensible a la luz visible, genera baja corriente oscura y tiene una velocidad de respuesta rápida. Estas características hacen del SiC un material excelente para fabricar detectores de rayos ultravioleta semiconductores que pueden suprimir la luz visible. Los detectores de SiC pueden operar a largo plazo a temperaturas de hasta 170 °C, tienen un coeficiente de temperatura bajo (<0.1%/K) y bajo ruido, y pueden monitorear eficazmente intensidades de radiación muy bajas (se requiere un amplificador correspondiente).


Parámetros técnicos del diodo fotodetector ultravioleta SG01M-C5:

Modelo

SG01M-C5

Características espectrales

Sensibilidad

0.120A/W

Valor típico de longitud de onda

275nm

Rango de longitud de onda (S=0.1*Smax)

225-287nm

Relación de supresión de luz visible (Smax/S>405nm)

>1010

Características generales (25 °C)

Área de la región fotosensible

0.2mm2

Corriente oscura (polarización inversa de 1 V)

0.7fA

Capacitancia

50pF

Corriente de cortocircuito (irradiación máxima de 10 mW/cm²)

Aproximadamente 2400 nA

Coeficiente de temperatura

<0.1%/K

Valores nominales

Temperatura de operación

-55~+170℃

Temperatura de almacenamiento

-55~+170℃

Temperatura de soldadura (3 s)

260℃

Voltaje inverso máximo VRmax

20V

Características físicas

Encapsulado en carcasa metálica TO5, pin 1 aislado, pin 1 conectado a tierra


Áreas de aplicación del diodo fotodetector ultravioleta SG01M-C5:

Se utiliza principalmente en control de llamas (calderas industriales), tratamiento de agua (seguro de intensidad UV), astronomía UV (detección de matrices), seguimiento de proyectiles (cámaras ultravioleta), monitoreo de ozono y contaminantes, detección de llamas (dispositivos de seguridad contra incendios, monitoreo de gotas de aceite), prueba de intensidad de rayos ultravioleta en luz solar (regalos, artículos de cosmética), prueba de intensidad de generación de rayos ultravioleta en lámparas UV (verificación de eficiencia de desinfección en dispositivos médicos o gabinetes de desinfección domésticos), etc.