Photodiode UV SGLUX Allemagne - SG01S-B18
1. Utilisation du matériau carbure de silicium (SiC)
2. Convient uniquement à la bande UVB
3. Surface de la zone photosensible : 0,2 mm²
4. Sous irradiation à une intensité de rayonnement de crête de 10 mW/cm², un courant d'environ 2500 nA est généré
5. Haute stabilité de la puce (certifiée par le PTB allemand)
Présentation du produit
1.Photodiode ultravioletCaractéristiques du SG01S-B18 :
1. Utilisation du matériau carbure de silicium (SiC)
2. Convient uniquement à la bande UVB
3. Surface de la zone photosensible : 0,2 mm²
4. Sous irradiation à une intensité de rayonnement de crête de 10 mW/cm², un courant d'environ 2500 nA est généré
5. Haute stabilité de la puce (certifiée par le PTB allemand)
II. À propos du matériau carbure de silicium (SiC) du photodiode ultraviolet SG01S-B18 :
Le SiC présente des avantages très particuliers : il peut supporter des rayonnements de haute intensité, est presque insensible à la lumière visible, génère un faible courant d'obscurité et a une vitesse de réponse rapide. Ces caractéristiques font du SiC un excellent matériau pour la fabrication de détecteurs ultraviolets à semi-conducteurs capables de supprimer la lumière visible. Les détecteurs SiC peuvent fonctionner à long terme à des températures allant jusqu'à 170 °C, avec un faible coefficient de température (<0,1 %/K) et un faible bruit, et peuvent surveiller efficacement des intensités de rayonnement très faibles (nécessitant un amplificateur approprié)
III. Paramètres techniques du photodiode ultraviolet SG01S-B18 :
| Modèle |
SG01S-B18 |
| Caractéristiques spectrales |
|
| Sensibilité |
0.125A/W |
| Valeur typique de la longueur d'onde |
280nm |
| Plage de longueurs d'onde (S=0,1*Smax) |
231-309nm |
| Taux de suppression de la lumière visible (Smax/S>405 nm) |
>1010 |
| Caractéristiques générales (25 °C) |
|
| Surface de la zone photosensible |
0.06mm2 |
| Courant d'obscurité (polarisation inverse de 1 V) |
0.2fA |
| Capacité |
15pF |
| Courant de court-circuit (intensité de rayonnement de crête de 10 mW/cm²) |
Environ 750 nA |
| Coefficient de température |
<0.1%/K |
| Valeurs nominales |
|
| Température de fonctionnement |
-55~+170℃ |
| 储存温度 |
-55~+170℃ |
| Température de soudure (3 s) |
260℃ |
| Tension inverse maximale VRmax |
20V |
| 物理特性 |
Scellé dans un boîtier métallique TO18, broche 1 isolée, broche 1 mise à la terre |
IV. Domaines d'application du photodiode ultraviolet SG01S-B18 :
Principalement utilisé pour le contrôle des flammes (chaudières industrielles), le traitement de l'eau (assurance de l'intensité UV), l'astronomie UV (détection en réseau), le suivi de projectiles (caméras ultraviolettes), la surveillance de l'ozone et des polluants, la détection de flammes (dispositifs de sécurité incendie, détection de gouttelettes d'huile), le test de l'intensité des UV dans la lumière solaire (cadeaux, accessoires cosmétiques), le test de l'intensité de génération UV des lampes ultraviolettes (contrôle de l'efficacité de désinfection des dispositifs médicaux ou des armoires de désinfection civiles), etc.