홈 chevron_right 센서 chevron_right 자외선 감지기 
독일 SGLUX 자외선 포토다이오드 SG01S-B18
독일 SGLUX 자외선 포토다이오드

독일 SGLUX 자외선 포토다이오드 - SG01S-B18

1. 탄화규소(SiC) 재료 사용
2. UVB 대역 전용
3. 광감지 영역 면적 0.2mm²
4. 10mW/cm² 피크 방사 조도에서 약 2500nA 전류 생성
5. 칩 고안정성(독일 PTB 인증 통과)

제품 모델: SG01S-B18

제품 소개

1.자외선 포토다이오드SG01S-B18 특성:

1. 탄화규소(SiC) 재료 사용

2. UVB 대역 전용

3. 광감지 영역 면적 0.2mm²

4. 10mW/cm² 피크 방사 조도에서 약 2500nA 전류 생성

5. 칩 고안정성(독일 PTB 인증 통과)


2. 자외선 포토다이오드 SG01S-B18 탄화규소(SiC) 재료 정보:

SiC는 매우 특별한 장점을 가지고 있으며, 고강도 방사선을 견딜 수 있고, 가시광선에 거의 민감하지 않으며, 암전류가 낮고, 응답 속도가 빠릅니다. 이러한 특성으로 인해 SiC는 가시광선을 억제하여 반도체 자외선 감지기를 만드는 데 매우 좋은 재료입니다. SiC 감지기는 최대 170°C의 온도에서 장기간 작동할 수 있으며, 온도 계수가 낮고(<0.1%/K) 노이즈가 낮아 매우 낮은 방사 강도를 효과적으로 모니터링할 수 있습니다(해당 증폭기 필요).


3. 자외선 포토다이오드 SG01S-B18 기술 사양:

모델

SG01S-B18

분광 특성

감도

0.125A/W

파장 일반 값

280nm

파장 범위(S=0.1*Smax)

231-309nm

가시광선 억제비(Smax/S>405nm)

>1010

일반 특성(25°C)

광감지 영역 면적

0.06mm2

암전류(1V 역방향 바이어스)

0.2fA

커패시턴스

15pF

단락 전류(10mW/cm² 피크 방사 조도)

약 750nA

온도 계수

<0.1%/K

정격 값

작동 온도

-55~+170℃

보관 온도

-55~+170℃

납땜 온도(3초)

260℃

역방향 전압 VRmax

20V

물리적 특성

TO18 금속 케이스 밀봉, 1핀 절연, 1핀 접지


4. 자외선 포토다이오드 SG01S-B18 적용 분야:

주로 화염 제어(산업용 보일러), 수처리(UV 강도 안전), UV 천문(어레이 감지), 탄도 추적(자외선 카메라), 오존 및 오염 물질 모니터링, 화염 감지(화재 경보 안전 장치, 오일 방울 모니터링), 태양광의 자외선 강도 테스트(선물, 화장품 용품), 자외선 램프의 자외선 발생 강도 테스트(의료 기기 또는 가정용 소독 캐비닛의 소독 효율 검사) 등에 사용됩니다.