製品紹介
紫外フォトダイオードSG01M-B5/SG01M-B18の特性：
1、炭化ケイ素（SiC）材料を採用
2、UVB帯域のみに適用
3、感光領域面積0.2mm2
4、10mW/cm2のピーク放射強度照射下で約2500nAの電流を生成
5、チップの高い安定性（ドイツPTB認証取得）
炭化ケイ素材料（SiC）について：
SiCは非常に特別な利点を持ち、高強度の放射線に耐え、可視光に対してほとんど感度がなく、暗電流が低く、応答速度が速い。これらの特性により、SiCは可視光を抑制する半導体紫外線検出器を作るための優れた材料となっています。SiC検出器は最高170℃の温度で長期間動作でき、温度係数が低く（<0.1%/K）、ノイズも低く、非常に低い放射強度を効果的に監視できます（対応するアンプの設定が必要）。
紫外フォトダイオードSG01M-B5/SG01M-B18の技術パラメータ：
| 型番 |
SG01M-B5 |
SG01M-B18 |
| 分光特性 |
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| 感度 |
0.125A/W |
0.125A/W |
| 波長代表値 |
280nm |
280nm |
| 波長範囲（S=0.1*Smax） |
231-309nm |
231-309nm |
| 可視光抑制比（Smax/S>405nm） |
>1010 |
>1010 |
| 一般特性（25℃） |
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| 感光領域面積 |
0.2mm2 |
0.2mm2 |
| 暗電流（1V逆バイアス） |
0.7fA |
0.7fA |
| 静電容量 |
50pF |
50pF |
| 短絡電流（10mW/cm2ピーク放射強度） |
約2500nA |
約2500nA |
| 温度係数 |
<0.1%/K |
<0.1%/K |
| 定格値 |
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| 動作温度 |
-55～+170℃ |
-55～+170℃ |
| 保存温度 |
-55～+170℃ |
-55～+170℃ |
| はんだ付け温度（3秒） |
260℃ |
260℃ |
| 逆電圧VRmax |
20V |
20V |
| 物理的特性 |
TO5金属ケース密封、1ピン絶縁、1ピン接地 |
TO18金属ケース密封、1ピン絶縁、1ピン接地 |
紫外フォトダイオードSG01M-B5/SG01M-B18の応用分野：
主に火炎制御（工業用ボイラー）、水処理（UV強度の保険）、UV天文学（アレイ検出）、弾丸追跡（紫外線カメラ）、オゾンおよび汚染物質のモニタリング、火炎感知（火災警報安全装置の油滴モニタリング）、太陽光中の紫外線強度のテスト（ギフト、化粧品用具）、紫外線ランプの紫外線発生強度テスト（医療機器または民生用消毒キャビネットの消毒効率検査）などに使用されます。
