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Photodiode ultraviolet SGLUX Allemagne SG01M-B5/SG01M-B18
Photodiode ultraviolet SGLUX Allemagne

Photodiode ultraviolet SGLUX Allemagne - SG01M-B5/SG01M-B18

1. Utilisation de matériau carbure de silicium (SiC)
2. Convient uniquement à la bande UVB
3. Surface de zone photosensible 0,2 mm²
4. Génère environ 2500 nA de courant sous un rayonnement d'intensité maximale de 10 mW/cm²
5. Haute stabilité de la puce (certifiée par le PTB allemand)

Modèle de produit: SG01M-B5/SG01M-B18

Présentation du produit

Caractéristiques de la photodiode ultraviolet SG01M-B5/SG01M-B18 :

1. Utilisation de matériau carbure de silicium (SiC)

2. Convient uniquement à la bande UVB

3. Surface de zone photosensible 0,2 mm²

4. Génère environ 2500 nA de courant sous un rayonnement d'intensité maximale de 10 mW/cm²

5. Haute stabilité de la puce (certifiée par le PTB allemand)

À propos du matériau carbure de silicium (SiC) :

Le SiC présente des avantages extrêmement particuliers : il peut supporter un rayonnement de haute intensité, est presque insensible à la lumière visible, génère un faible courant d'obscurité et a une vitesse de réponse rapide. Ces caractéristiques font du SiC un excellent matériau pour la fabrication de détecteurs ultraviolets à semi-conducteurs capables de supprimer la lumière visible. Les détecteurs SiC peuvent fonctionner à long terme à des températures allant jusqu'à 170 °C, avec un faible coefficient de température (<0,1 %/K) et un faible bruit, et peuvent surveiller efficacement des intensités de rayonnement très faibles (nécessitant un amplificateur approprié).


Paramètres techniques de la photodiode ultraviolet SG01M-B5/SG01M-B18 :

Modèle

SG01M-B5

SG01M-B18

Caractéristiques spectrales

Sensibilité

0.125A/W

0.125A/W

Longueur d'onde typique

280nm

280nm

Plage de longueurs d'onde (S = 0,1 * Smax)

231-309nm

231-309nm

Taux de suppression de la lumière visible (Smax/S>405nm)

>1010

>1010

Caractéristiques générales (25 °C)

Surface de zone photosensible

0.2mm2

0.2mm2

Courant d'obscurité (polarisation inverse de 1 V)

0.7fA

0.7fA

Capacité

50pF

50pF

Courant de court-circuit (intensité maximale de rayonnement de 10 mW/cm²)

Environ 2500 nA

Environ 2500 nA

Coefficient de température

<0.1%/K

<0.1%/K

Valeurs nominales

Température de fonctionnement

-55~+170℃

-55~+170℃

Température de stockage

-55~+170℃

-55~+170℃

Température de soudage (3 s)

260℃

260℃

Tension inverse maximale VRmax

20V

20V

Caractéristiques physiques

Boîtier métallique TO5 scellé, 1 broche isolée, 1 broche mise à la terre

Boîtier métallique TO18 scellé, 1 broche isolée, 1 broche mise à la terre


Domaines d'application de la photodiode ultraviolet SG01M-B5/SG01M-B18 :

Principalement utilisée pour le contrôle de flamme (chaudières industrielles), le traitement de l'eau (assurance de l'intensité UV), l'astronomie UV (détection en réseau), le suivi de projectiles (caméras ultraviolettes), la surveillance de l'ozone et des polluants, la détection de flamme (dispositifs de sécurité incendie, surveillance de gouttelettes d'huile), le test de l'intensité des UV dans la lumière solaire (cadeaux, accessoires cosmétiques), le test de l'intensité de génération UV des lampes ultraviolettes (vérification de l'efficacité de désinfection des dispositifs médicaux ou des armoires de désinfection domestiques), etc.