Photodiode ultraviolet SGLUX Allemagne - SG01M-B5/SG01M-B18
1. Utilisation de matériau carbure de silicium (SiC)
2. Convient uniquement à la bande UVB
3. Surface de zone photosensible 0,2 mm²
4. Génère environ 2500 nA de courant sous un rayonnement d'intensité maximale de 10 mW/cm²
5. Haute stabilité de la puce (certifiée par le PTB allemand)
Présentation du produit
Caractéristiques de la photodiode ultraviolet SG01M-B5/SG01M-B18 :
1. Utilisation de matériau carbure de silicium (SiC)
2. Convient uniquement à la bande UVB
3. Surface de zone photosensible 0,2 mm²
4. Génère environ 2500 nA de courant sous un rayonnement d'intensité maximale de 10 mW/cm²
5. Haute stabilité de la puce (certifiée par le PTB allemand)
À propos du matériau carbure de silicium (SiC) :
Le SiC présente des avantages extrêmement particuliers : il peut supporter un rayonnement de haute intensité, est presque insensible à la lumière visible, génère un faible courant d'obscurité et a une vitesse de réponse rapide. Ces caractéristiques font du SiC un excellent matériau pour la fabrication de détecteurs ultraviolets à semi-conducteurs capables de supprimer la lumière visible. Les détecteurs SiC peuvent fonctionner à long terme à des températures allant jusqu'à 170 °C, avec un faible coefficient de température (<0,1 %/K) et un faible bruit, et peuvent surveiller efficacement des intensités de rayonnement très faibles (nécessitant un amplificateur approprié).
Paramètres techniques de la photodiode ultraviolet SG01M-B5/SG01M-B18 :
| Modèle |
SG01M-B5 |
SG01M-B18 |
| Caractéristiques spectrales |
||
| Sensibilité |
0.125A/W |
0.125A/W |
| Longueur d'onde typique |
280nm |
280nm |
| Plage de longueurs d'onde (S = 0,1 * Smax) |
231-309nm |
231-309nm |
| Taux de suppression de la lumière visible (Smax/S>405nm) |
>1010 |
>1010 |
| Caractéristiques générales (25 °C) |
||
| Surface de zone photosensible |
0.2mm2 |
0.2mm2 |
| Courant d'obscurité (polarisation inverse de 1 V) |
0.7fA |
0.7fA |
| Capacité |
50pF |
50pF |
| Courant de court-circuit (intensité maximale de rayonnement de 10 mW/cm²) |
Environ 2500 nA |
Environ 2500 nA |
| Coefficient de température |
<0.1%/K |
<0.1%/K |
| Valeurs nominales |
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| Température de fonctionnement |
-55~+170℃ |
-55~+170℃ |
| Température de stockage |
-55~+170℃ |
-55~+170℃ |
| Température de soudage (3 s) |
260℃ |
260℃ |
| Tension inverse maximale VRmax |
20V |
20V |
| Caractéristiques physiques |
Boîtier métallique TO5 scellé, 1 broche isolée, 1 broche mise à la terre |
Boîtier métallique TO18 scellé, 1 broche isolée, 1 broche mise à la terre |
Domaines d'application de la photodiode ultraviolet SG01M-B5/SG01M-B18 :
Principalement utilisée pour le contrôle de flamme (chaudières industrielles), le traitement de l'eau (assurance de l'intensité UV), l'astronomie UV (détection en réseau), le suivi de projectiles (caméras ultraviolettes), la surveillance de l'ozone et des polluants, la détection de flamme (dispositifs de sécurité incendie, surveillance de gouttelettes d'huile), le test de l'intensité des UV dans la lumière solaire (cadeaux, accessoires cosmétiques), le test de l'intensité de génération UV des lampes ultraviolettes (vérification de l'efficacité de désinfection des dispositifs médicaux ou des armoires de désinfection domestiques), etc.