Diodo fotodetector ultravioleta SGLUX de Alemania SG01M-B5/SG01M-B18
Diodo fotodetector ultravioleta SGLUX de Alemania

Diodo fotodetector ultravioleta SGLUX de Alemania - SG01M-B5/SG01M-B18

1. Utiliza material de carburo de silicio (SiC)
2. Solo aplicable a la banda UVB
3. Área de región fotosensible 0.2mm2
4. Bajo irradiación de intensidad máxima de 10mW/cm2 genera aproximadamente 2500nA de corriente
5. Alta estabilidad del chip (certificado por PTB de Alemania)

Modelo de producto: SG01M-B5/SG01M-B18

Introducción del producto

Características del diodo fotodetector ultravioleta SG01M-B5/SG01M-B18:

1. Utiliza material de carburo de silicio (SiC)

2. Solo aplicable a la banda UVB

3. Área de región fotosensible 0.2mm2

4. Bajo irradiación de intensidad máxima de 10mW/cm2 genera aproximadamente 2500nA de corriente

5. Alta estabilidad del chip (certificado por PTB de Alemania)

Sobre el material de carburo de silicio (SiC):

SiC tiene ventajas extremadamente especiales: puede soportar radiación de alta intensidad, es casi insensible a la luz visible, genera baja corriente oscura y tiene velocidad de respuesta rápida. Estas características hacen que SiC sea un material excelente para fabricar detectores de radiación ultravioleta semiconductores que pueden suprimir la luz visible. Los detectores SiC pueden funcionar a largo plazo a temperaturas de hasta 170°C, tienen bajo coeficiente de temperatura (<0.1%/K) y bajo ruido, y pueden monitorear efectivamente intensidades de radiación muy bajas (requiere amplificador correspondiente).


Parámetros técnicos del diodo fotodetector ultravioleta SG01M-B5/SG01M-B18:

Modelo

SG01M-B5

SG01M-B18

Características espectrales

Sensibilidad

0.125A/W

0.125A/W

Valor típico de longitud de onda

280nm

280nm

Rango de longitud de onda (S=0.1*Smax)

231-309nm

231-309nm

Relación de supresión de luz visible (Smax/S>405nm)

>1010

>1010

Características generales (25°C)

Área de región fotosensible

0.2mm2

0.2mm2

Corriente oscura (polarización inversa de 1V)

0.7fA

0.7fA

Capacitancia

50pF

50pF

Corriente de cortocircuito (intensidad máxima de radiación de 10mW/cm2)

Aproximadamente 2500nA

Aproximadamente 2500nA

Coeficiente de temperatura

<0.1%/K

<0.1%/K

Valores nominales

Temperatura de operación

-55~+170℃

-55~+170℃

Temperatura de almacenamiento

-55~+170℃

-55~+170℃

Temperatura de soldadura (3S)

260℃

260℃

Voltaje inverso máximo VRmax

20V

20V

Características físicas

Sellado en carcasa metálica TO5, 1 pin aislado, 1 pin a tierra

Sellado en carcasa metálica TO18, 1 pin aislado, 1 pin a tierra


Áreas de aplicación del diodo fotodetector ultravioleta SG01M-B5/SG01M-B18:

Se utiliza principalmente en control de llamas (calderas industriales), tratamiento de agua (seguro de intensidad UV), astronomía UV (detección de matrices), seguimiento de proyectiles (cámaras ultravioleta), monitoreo de ozono y contaminantes, detección de llamas (dispositivos de seguridad contra incendios, monitoreo de gotas de aceite), prueba de intensidad de rayos ultravioleta en luz solar (regalos, artículos de cosmética), prueba de intensidad de generación de rayos ultravioleta de lámparas UV (verificación de eficiencia de desinfección en dispositivos médicos o gabinetes de desinfección domésticos), etc.