Diodo fotodetector ultravioleta SGLUX de Alemania - SG01M-B5/SG01M-B18
1. Utiliza material de carburo de silicio (SiC)
2. Solo aplicable a la banda UVB
3. Área de región fotosensible 0.2mm2
4. Bajo irradiación de intensidad máxima de 10mW/cm2 genera aproximadamente 2500nA de corriente
5. Alta estabilidad del chip (certificado por PTB de Alemania)
Introducción del producto
Características del diodo fotodetector ultravioleta SG01M-B5/SG01M-B18:
1. Utiliza material de carburo de silicio (SiC)
2. Solo aplicable a la banda UVB
3. Área de región fotosensible 0.2mm2
4. Bajo irradiación de intensidad máxima de 10mW/cm2 genera aproximadamente 2500nA de corriente
5. Alta estabilidad del chip (certificado por PTB de Alemania)
Sobre el material de carburo de silicio (SiC):
SiC tiene ventajas extremadamente especiales: puede soportar radiación de alta intensidad, es casi insensible a la luz visible, genera baja corriente oscura y tiene velocidad de respuesta rápida. Estas características hacen que SiC sea un material excelente para fabricar detectores de radiación ultravioleta semiconductores que pueden suprimir la luz visible. Los detectores SiC pueden funcionar a largo plazo a temperaturas de hasta 170°C, tienen bajo coeficiente de temperatura (<0.1%/K) y bajo ruido, y pueden monitorear efectivamente intensidades de radiación muy bajas (requiere amplificador correspondiente).
Parámetros técnicos del diodo fotodetector ultravioleta SG01M-B5/SG01M-B18:
| Modelo |
SG01M-B5 |
SG01M-B18 |
| Características espectrales |
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| Sensibilidad |
0.125A/W |
0.125A/W |
| Valor típico de longitud de onda |
280nm |
280nm |
| Rango de longitud de onda (S=0.1*Smax) |
231-309nm |
231-309nm |
| Relación de supresión de luz visible (Smax/S>405nm) |
>1010 |
>1010 |
| Características generales (25°C) |
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| Área de región fotosensible |
0.2mm2 |
0.2mm2 |
| Corriente oscura (polarización inversa de 1V) |
0.7fA |
0.7fA |
| Capacitancia |
50pF |
50pF |
| Corriente de cortocircuito (intensidad máxima de radiación de 10mW/cm2) |
Aproximadamente 2500nA |
Aproximadamente 2500nA |
| Coeficiente de temperatura |
<0.1%/K |
<0.1%/K |
| Valores nominales |
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| Temperatura de operación |
-55~+170℃ |
-55~+170℃ |
| Temperatura de almacenamiento |
-55~+170℃ |
-55~+170℃ |
| Temperatura de soldadura (3S) |
260℃ |
260℃ |
| Voltaje inverso máximo VRmax |
20V |
20V |
| Características físicas |
Sellado en carcasa metálica TO5, 1 pin aislado, 1 pin a tierra |
Sellado en carcasa metálica TO18, 1 pin aislado, 1 pin a tierra |
Áreas de aplicación del diodo fotodetector ultravioleta SG01M-B5/SG01M-B18:
Se utiliza principalmente en control de llamas (calderas industriales), tratamiento de agua (seguro de intensidad UV), astronomía UV (detección de matrices), seguimiento de proyectiles (cámaras ultravioleta), monitoreo de ozono y contaminantes, detección de llamas (dispositivos de seguridad contra incendios, monitoreo de gotas de aceite), prueba de intensidad de rayos ultravioleta en luz solar (regalos, artículos de cosmética), prueba de intensidad de generación de rayos ultravioleta de lámparas UV (verificación de eficiencia de desinfección en dispositivos médicos o gabinetes de desinfección domésticos), etc.