Diodo fotoelétrico ultravioleta SGLUX da Alemanha SG01M-B5/SG01M-B18
Diodo fotoelétrico ultravioleta SGLUX da Alemanha

Diodo fotoelétrico ultravioleta SGLUX da Alemanha - SG01M-B5/SG01M-B18

1. Feito de material carboneto de silício (SiC)
2. Adequado apenas para a banda UVB
3. Área da região fotossensível: 0,2 mm²
4. Gera aproximadamente 2500 nA de corrente sob irradiação de pico de 10 mW/cm²
5. Alta estabilidade do chip (certificado pelo PTB alemão)

Modelo do produto: SG01M-B5/SG01M-B18

Introdução do produto

Características do diodo fotoelétrico ultravioleta SG01M-B5/SG01M-B18:

1. Feito de material carboneto de silício (SiC)

2. Adequado apenas para a banda UVB

3. Área da região fotossensível: 0,2 mm²

4. Gera aproximadamente 2500 nA de corrente sob irradiação de pico de 10 mW/cm²

5. Alta estabilidade do chip (certificado pelo PTB alemão)

Sobre o material carboneto de silício (SiC):

O SiC possui vantagens extremamente especiais: pode suportar radiação de alta intensidade, é quase insensível à luz visível, gera baixa corrente escura e tem resposta rápida. Essas características tornam o SiC um excelente material para fabricar detectores de radiação ultravioleta semicondutores que podem suprimir a luz visível. Os detectores de SiC podem operar por longos períodos em temperaturas de até 170 °C, têm baixo coeficiente de temperatura (<0,1%/K) e baixo ruído, e podem monitorar efetivamente intensidades de radiação muito baixas (requer amplificador correspondente).


Parâmetros técnicos do diodo fotoelétrico ultravioleta SG01M-B5/SG01M-B18:

Modelo

SG01M-B5

SG01M-B18

Características espectrais

Sensibilidade

0.125A/W

0.125A/W

Comprimento de onda típico

280nm

280nm

Faixa de comprimento de onda (S=0,1*Smax)

231-309nm

231-309nm

Razão de supressão de luz visível (Smax/S>405nm)

>1010

>1010

Características gerais (25 °C)

Área da região fotossensível

0.2mm2

0.2mm2

Corrente escura (polarização reversa de 1 V)

0.7fA

0.7fA

Capacitância

50pF

50pF

Corrente de curto-circuito (irradiância de pico de 10 mW/cm²)

Aproximadamente 2500 nA

Aproximadamente 2500 nA

Coeficiente de temperatura

<0.1%/K

<0.1%/K

Valores nominais

Temperatura de operação

-55~+170℃

-55~+170℃

Temperatura de armazenamento

-55~+170℃

-55~+170℃

Temperatura de soldagem (3 s)

260℃

260℃

Tensão reversa máxima VRmax

20V

20V

Características físicas

Selado em invólucro metálico TO5, 1 pino isolado, 1 pino aterrado

Selado em invólucro metálico TO18, 1 pino isolado, 1 pino aterrado


Áreas de aplicação do diodo fotoelétrico ultravioleta SG01M-B5/SG01M-B18:

Usado principalmente em controle de chamas (caldeiras industriais), tratamento de água (seguro de intensidade UV), astronomia UV (detecção em matriz), rastreamento de projéteis (câmeras ultravioleta), monitoramento de ozônio e poluentes, detecção de chamas (dispositivos de segurança contra incêndio, monitoramento de gotas de óleo), teste de intensidade de UV na luz solar (presentes, cosméticos), teste de intensidade de radiação UV de lâmpadas ultravioleta (verificação de eficiência de desinfecção em dispositivos médicos ou armários de desinfecção domésticos), etc.