Sensor de hidrogênio semicondutor Figaro do Japão - TGS821
* Alta sensibilidade e seletividade ao hidrogênio
* Boa repetibilidade de detecção
* Circuito de aplicação simples
* Base cerâmica adequada para ambientes adversos
Introdução do produto
1. Descrição do sensor de hidrogênio semicondutor TGS821:
O elemento sensível do sensor Figaro é composto por um semicondutor de dióxido de estanho (SnO2), que possui baixa condutividade em ar limpo. Quando o gás alvo está presente no ar, quanto maior a concentração do gás, maior a condutividade do sensor. Usando um circuito simples, a mudança na condutividade pode ser convertida em um sinal de saída correspondente à concentração do gás.
Sensor de hidrogênioO TGS821 possui altíssima sensibilidade e seletividade ao hidrogênio, podendo detectar concentrações de hidrogênio tão baixas quanto 50 ppm, sendo amplamente utilizado em diversas necessidades industriais.
2. Características do sensor de hidrogênio semicondutor TGS821
* Alta sensibilidade e seletividade ao hidrogênio
* Boa repetibilidade de detecção
* Circuito de aplicação simples
* Base cerâmica adequada para ambientes adversos
3. Aplicações do sensor de hidrogênio semicondutor TGS821:
* Detecção de hidrogênio para os seguintes usos:
- Manutenção de transformadores
- Baterias
- Indústria siderúrgica
- Outros
4. Características de sensibilidade do sensor de hidrogênio semicondutor TGS821:
A figura abaixo mostra curvas típicas de características de sensibilidade, medidas sob condições padrão de teste da nossa empresa (ver verso).
O eixo vertical representa a razão de resistência do sensor Rs/Ro, onde Rs e Ro são definidos como:
Rs = valor da resistência do sensor em várias concentrações de gás
Ro = valor da resistência do sensor em 100 ppm de hidrogênio
5. Características de temperatura e umidade do sensor de hidrogênio semicondutor TGS821:
A figura abaixo mostra curvas características representativas influenciadas por temperatura e umidade.
O eixo vertical representa a razão de resistência do sensor Rs/Ro, onde Rs e Ro são definidos como:
Rs = valor da resistência do sensor em 100 ppm de hidrogênio sob várias condições de temperatura e umidade
Ro = valor da resistência do sensor em 100 ppm de hidrogênio a 20°C e 65% R.H.
