Diodo Fotodetector UV SGLUX da Alemanha - SG01D-A18
1. Material de carboneto de silício (SiC)
2. Adequado para faixa UVA
3. Área de detecção efetiva de 0,5mm2
4. Irradiância de pico de 10uW/cm2 gera cerca de 1,85nA de corrente
5. Alta estabilidade do chip (certificado pelo PTB da Alemanha)
Introdução do produto
Características do fotodiodo UV de SiC SG01D-A18:
1. Material de carboneto de silício (SiC)
2. Adequado para faixa UVA
3. Área de detecção efetiva de 0,5mm2
4. Irradiância de pico de 10uW/cm2 gera cerca de 1,85nA de corrente
5. Alta estabilidade do chip (certificado pelo PTB da Alemanha)
Sobre o material de carboneto de silício (SiC):
O SiC pode suportar extrema dureza de radiação, quase perfeita região cega visível, baixa corrente escura, resposta rápida e baixo ruído; essas características tornam o SiC um excelente material para detectores UV de região cega visível. Os detectores de SiC podem operar continuamente em temperaturas de até 170°C, e o coeficiente de temperatura do sinal (responsividade) também é muito baixo, <0,1%/K. Devido ao baixo ruído (corrente escura de nível fA), intensidades de radiação UV muito baixas também podem ser medidas de forma confiável (com amplificador adequado).
Os fotodiodos de SiC podem ser usados como dispositivos de detecção de banda larga sem filtro ou com filtros ópticos, fornecendo resposta nas faixas UVA, UVB e UVC.
Parâmetros técnicos do fotodiodo UV de SiC SG01D-A18:
| Modelo |
SG01S-D18 |
| Características espectrais |
|
| Responsividade |
0.037A/W |
| Comprimento de onda típico |
331nm |
| Faixa de comprimento de onda (S=0,1*Smax) |
309-367nm |
| Região cega visível (Smax/S>405nm) |
>1010 |
| Características gerais (25°C) |
|
| Área de detecção efetiva |
0.5mm2 |
| Corrente escura (tensão reversa de 1V) |
1.7fA |
| Capacitância |
125pF |
| Corrente de curto-circuito (irradiância de pico de 10uW/cm2) |
Aproximadamente 1,85nA |
| Coeficiente de temperatura |
<0.1%/K |
| Valores nominais |
|
| Temperatura de operação |
-55~+170℃ |
| Temperatura de armazenamento |
-55~+170℃ |
| Temperatura de soldagem (3s) |
260℃ |
| Tensão reversa máxima VRmax |
20V |
| Características físicas |
Invólucro metálico TO18 selado, 1 pino isolado, 1 pino aterrado |
Áreas de aplicação do fotodiodo UV de SiC SG01D-A18:
Usado principalmente para controle de chamas (caldeiras industriais), tratamento de água (seguro de intensidade UV), astronomia UV (detecção em matriz), rastreamento de projéteis (câmeras UV), monitoramento de ozônio e poluentes, detecção de chamas (dispositivos de segurança contra incêndio, monitoramento de gotas de óleo), teste da intensidade de UV na luz solar (presentes, utensílios de cosméticos), teste da intensidade de UV emitida por lâmpadas UV (equipamentos médicos ou verificação da eficiência de desinfecção de armários de desinfecção domésticos), etc.