Fotodiodo ultravioleta SGLUX de Alemania SG01D-A18
1. Fotodiodo ultravioleta SGLUX de Alemania

Fotodiodo ultravioleta SGLUX de Alemania - SG01D-A18

1. Material de carburo de silicio (SiC)

2. Adecuado para banda UVA

3. Área de detección efectiva 0.5mm2

4. Irradiancia pico de 10uW/cm2 genera aproximadamente 1.85nA de corriente

5. Alta estabilidad del chip (certificado por PTB de Alemania)

Modelo del producto: SG01D-A18

Introducción del producto

Características del fotodiodo ultravioleta SiC SG01D-A18:

1. Material de carburo de silicio (SiC)

2. Adecuado para banda UVA

3. Área de detección efectiva 0.5mm2

4. Irradiancia pico de 10uW/cm2 genera aproximadamente 1.85nA de corriente

5. Alta estabilidad del chip (certificado por PTB de Alemania)

Sobre el material de carburo de silicio (SiC):

El SiC puede soportar dureza de radiación extrema, zona ciega visible casi perfecta, baja corriente oscura, respuesta de alta velocidad y propiedades especiales de bajo ruido; estas funciones hacen que el SiC sea un material muy adecuado para detectores ultravioleta de zona ciega visible. Los detectores de SiC pueden funcionar continuamente a temperaturas de hasta 170°C, y el coeficiente de temperatura de la señal (responsividad) también es muy bajo, <0.1%/K. Debido al bajo ruido (corriente oscura de nivel fA), las intensidades de radiación ultravioleta muy bajas también se pueden medir de manera confiable (se requiere un amplificador adecuado).

Los fotodiodos de SiC se pueden usar como dispositivos de detección de banda ancha sin filtrar o con filtros ópticos, proporcionando respuesta a las bandas UVA, UVB y UVC.


Parámetros técnicos del fotodiodo ultravioleta SiC SG01D-A18:

Modelo

SG01S-D18

Características espectrales

Responsividad

0.037A/W

Longitud de onda típica

331nm

Rango de longitud de onda (S=0.1*Smax)

309-367nm

Zona ciega visible (Smax/S>405nm)

>1010

Características generales (25°C)

Área de detección efectiva

0.5mm2

Corriente oscura (polarización inversa de 1V)

1.7fA

Capacitancia

125pF

Corriente de cortocircuito (irradiancia pico de 10uW/cm2)

Aproximadamente 1.85nA

Coeficiente de temperatura

<0.1%/K

Valores nominales

Temperatura de operación

-55~+170℃

Temperatura de almacenamiento

-55~+170℃

Temperatura de soldadura (3S)

260℃

Voltaje inverso máximo VRmax

20V

Características físicas

Encapsulado de carcasa metálica TO18, 1 pin aislado, 1 pin a tierra


Campos de aplicación del fotodiodo ultravioleta SiC SG01D-A18:

Principalmente para control de llamas (calderas industriales), tratamiento de agua (seguro de intensidad UV), astronomía UV (detección de matrices), seguimiento de proyectiles (cámaras ultravioleta), monitoreo de ozono y contaminantes, detección de llamas (dispositivos de seguridad contra incendios, monitoreo de gotas de aceite), prueba de intensidad de rayos ultravioleta en luz solar (regalos, artículos de cosmética), prueba de intensidad de generación ultravioleta de lámparas UV (equipos médicos o verificación de eficiencia de desinfección de gabinetes de desinfección domésticos), etc.