Fotodiodo ultravioleta SGLUX de Alemania - SG01D-A18
1. Material de carburo de silicio (SiC)
2. Adecuado para banda UVA
3. Área de detección efectiva 0.5mm2
4. Irradiancia pico de 10uW/cm2 genera aproximadamente 1.85nA de corriente
5. Alta estabilidad del chip (certificado por PTB de Alemania)
Introducción del producto
Características del fotodiodo ultravioleta SiC SG01D-A18:
1. Material de carburo de silicio (SiC)
2. Adecuado para banda UVA
3. Área de detección efectiva 0.5mm2
4. Irradiancia pico de 10uW/cm2 genera aproximadamente 1.85nA de corriente
5. Alta estabilidad del chip (certificado por PTB de Alemania)
Sobre el material de carburo de silicio (SiC):
El SiC puede soportar dureza de radiación extrema, zona ciega visible casi perfecta, baja corriente oscura, respuesta de alta velocidad y propiedades especiales de bajo ruido; estas funciones hacen que el SiC sea un material muy adecuado para detectores ultravioleta de zona ciega visible. Los detectores de SiC pueden funcionar continuamente a temperaturas de hasta 170°C, y el coeficiente de temperatura de la señal (responsividad) también es muy bajo, <0.1%/K. Debido al bajo ruido (corriente oscura de nivel fA), las intensidades de radiación ultravioleta muy bajas también se pueden medir de manera confiable (se requiere un amplificador adecuado).
Los fotodiodos de SiC se pueden usar como dispositivos de detección de banda ancha sin filtrar o con filtros ópticos, proporcionando respuesta a las bandas UVA, UVB y UVC.
Parámetros técnicos del fotodiodo ultravioleta SiC SG01D-A18:
| Modelo |
SG01S-D18 |
| Características espectrales |
|
| Responsividad |
0.037A/W |
| Longitud de onda típica |
331nm |
| Rango de longitud de onda (S=0.1*Smax) |
309-367nm |
| Zona ciega visible (Smax/S>405nm) |
>1010 |
| Características generales (25°C) |
|
| Área de detección efectiva |
0.5mm2 |
| Corriente oscura (polarización inversa de 1V) |
1.7fA |
| Capacitancia |
125pF |
| Corriente de cortocircuito (irradiancia pico de 10uW/cm2) |
Aproximadamente 1.85nA |
| Coeficiente de temperatura |
<0.1%/K |
| Valores nominales |
|
| Temperatura de operación |
-55~+170℃ |
| Temperatura de almacenamiento |
-55~+170℃ |
| Temperatura de soldadura (3S) |
260℃ |
| Voltaje inverso máximo VRmax |
20V |
| Características físicas |
Encapsulado de carcasa metálica TO18, 1 pin aislado, 1 pin a tierra |
Campos de aplicación del fotodiodo ultravioleta SiC SG01D-A18:
Principalmente para control de llamas (calderas industriales), tratamiento de agua (seguro de intensidad UV), astronomía UV (detección de matrices), seguimiento de proyectiles (cámaras ultravioleta), monitoreo de ozono y contaminantes, detección de llamas (dispositivos de seguridad contra incendios, monitoreo de gotas de aceite), prueba de intensidad de rayos ultravioleta en luz solar (regalos, artículos de cosmética), prueba de intensidad de generación ultravioleta de lámparas UV (equipos médicos o verificación de eficiencia de desinfección de gabinetes de desinfección domésticos), etc.