제품 소개
SiC 자외선 포토다이오드 SG01D-A18 특성:
1. 탄화규소(SiC) 재료 사용
2. UVA 대역에 적합
3. 유효 감지 영역 0.5mm2
4. 10uW/cm2 피크 복사 조도에서 약 1.85nA 전류 생성
5. 칩 높은 안정성(독일 PTB 인증 통과)
탄화규소(SiC) 재료에 대해:
SiC는 극한의 방사선 경도, 거의 완벽한 가시광선 차단, 낮은 암전류, 고속 응답 및 낮은 노이즈 특성을 견딜 수 있습니다. 이러한 기능으로 SiC는 가시광선 차단 자외선 검출기에 매우 적합한 재료입니다. SiC 검출기는 최대 170℃의 온도에서 계속 작동할 수 있으며, 신호(응답도)의 온도 계수도 매우 낮아 <0.1%/K입니다. (fA 수준의 암전류) 노이즈가 낮기 때문에 매우 낮은 자외선 복사 강도도 안정적으로 측정할 수 있습니다(적절한 증폭기 필요).
SiC 포토다이오드는 필터링되지 않은 광대역 검출 장치로 사용하거나 광학 필터와 함께 사용하여 UVA, UVB, UVC 대역에 대한 응답을 제공할 수 있습니다.
SiC 자외선 포토다이오드 SG01D-A18 기술 매개변수:
| 모델 |
SG01S-D18 |
| 분광 특성 |
|
| 응답도 |
0.037A/W |
| 파장 일반 값 |
331nm |
| 파장 범위(S=0.1*Smax) |
309-367nm |
| 가시광선 차단(Smax/S>405nm) |
>1010 |
| 일반 특성(25℃) |
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| 유효 감지 영역 |
0.5mm2 |
| 암전류(1V 역방향 바이어스) |
1.7fA |
| 커패시턴스 |
125pF |
| 단락 전류(10uW/cm2 피크 복사 조도) |
약 1.85nA |
| 온도 계수 |
<0.1%/K |
| 정격 값 |
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| 작동 온도 |
-55～+170℃ |
| 보관 온도 |
-55～+170℃ |
| 납땜 온도(3초) |
260℃ |
| 역방향 전압 VRmax |
20V |
| 물리적 특성 |
TO18 금속 케이스 밀봉, 1핀 절연, 1핀 접지 |
SiC 자외선 포토다이오드 SG01D-A18 응용 분야:
주로 화염 제어(산업용 보일러), 수처리(UV 강도의 안전장치), UV 천문(어레이 검출), 탄도 추적(자외선 카메라), 오존 및 오염물질 모니터링, 화염 감지(화재 경보 안전 장치, 오일 드롭 모니터링), 태양광의 자외선 강도 테스트(선물, 화장품 도구), 자외선 램프의 자외선 발생 강도 테스트(의료 기기 또는 가정용 소독 캐비닛의 소독 효율 검사) 등에 사용됩니다.
