Fotodiodo ultravioleta SGLUX da Alemanha - SG01S-A18
1. Feito de material de carboneto de silício (SiC)
2. Adequado para a faixa UVA
3. Área de detecção efetiva de 0,06 mm²
4. Irradiância de pico de 10 mW/cm² gera aproximadamente 222 nA de corrente
5. Alta estabilidade do chip (certificado pelo PTB alemão)
Introdução do produto
Características do fotodiodo ultravioleta de carboneto de silício SG01S-A18:
1. Feito de material de carboneto de silício (SiC)
2. Adequado para a faixa UVA
3. Área de detecção efetiva de 0,06 mm²
4. Irradiância de pico de 10 mW/cm² gera aproximadamente 222 nA de corrente
5. Alta estabilidade do chip (certificado pelo PTB alemão)
Sobre o material de carboneto de silício (SiC):
O SiC pode suportar extrema dureza de radiação, possui quase perfeita região cega ao visível, baixa corrente escura, resposta rápida e baixo ruído; essas características tornam o SiC o melhor material para detectores ultravioleta de região cega ao visível. Detectores de SiC podem operar por longos períodos em temperaturas de até 170 °C, e o coeficiente de temperatura do sinal (responsividade) também é baixo, <0,1%/K. Devido ao baixo ruído (corrente escura de nível fA), intensidades de radiação ultravioleta muito baixas podem ser medidas de forma confiável (com amplificador adequado).
Fotodiodos de SiC podem ser usados como dispositivos de detecção de banda larga sem filtro ou com filtros ópticos, fornecendo resposta às faixas UVA, UVB e UVC.
Parâmetros técnicos do fotodiodo ultravioleta de carboneto de silício SG01S-A18:
| Modelo |
SG01S-A18 |
| Características espectrais |
|
| Responsividade |
0.037A/W |
| Comprimento de onda típico |
331nm |
| Faixa de comprimento de onda (S=0,1*Smax) |
309-367nm |
| Região cega ao visível (Smax/S>405nm) |
>1010 |
| Características gerais (25 °C) |
|
| Área de detecção efetiva |
0.06mm2 |
| Corrente escura (tensão reversa de 1V) |
0.2fA |
| Capacitância |
15pF |
| Corrente de curto-circuito (irradiância de pico de 10 mW/cm²) |
Aproximadamente 222 nA |
| Coeficiente de temperatura |
<0.1%/K |
| Valores nominais |
|
| Temperatura de operação |
-55~+170℃ |
| Temperatura de armazenamento |
-55~+170℃ |
| Temperatura de soldagem (3s) |
260℃ |
| Tensão reversa máxima VRmax |
20V |
| Características físicas |
Invólucro metálico TO18 selado, pino 1 isolado, pino 1 aterrado |
Aplicações do fotodiodo ultravioleta de carboneto de silício SG01S-A18:
Usado principalmente para controle de chamas (caldeiras industriais), tratamento de água (seguro de intensidade UV), astronomia UV (detecção em matriz), rastreamento de projéteis (câmeras ultravioleta), monitoramento de ozônio e poluentes, detecção de chamas (dispositivos de segurança contra incêndio, monitoramento de gotas de óleo), teste da intensidade de ultravioleta na luz solar (presentes, cosméticos), teste da intensidade de geração de ultravioleta de lâmpadas UV (verificação da eficiência de desinfecção em dispositivos médicos ou armários de desinfecção domésticos), etc.