Fotodiodo ultravioleta SGLUX de Alemania - SG01S-A18
1. Utiliza material de carburo de silicio (SiC)
2. Adecuado para banda UVA
3. Área de detección efectiva de 0.06 mm²
4. Irradiancia pico de 10 mW/cm² genera aproximadamente 222 nA de corriente
5. Alta estabilidad del chip (certificado por PTB de Alemania)
Introducción del producto
Características del fotodiodo ultravioleta de carburo de silicio SG01S-A18:
1. Utiliza material de carburo de silicio (SiC)
2. Adecuado para banda UVA
3. Área de detección efectiva de 0.06 mm²
4. Irradiancia pico de 10 mW/cm² genera aproximadamente 222 nA de corriente
5. Alta estabilidad del chip (certificado por PTB de Alemania)
Sobre el material de carburo de silicio (SiC):
El SiC puede soportar una dureza de radiación extrema, una región de ceguera visible casi perfecta, baja corriente oscura, respuesta rápida y bajo ruido; estas características hacen que el SiC sea el mejor material para detectores ultravioleta de ceguera visible. Los detectores de SiC pueden funcionar a temperaturas de hasta 170 °C durante largos períodos, y el coeficiente de temperatura de la señal (responsividad) también es muy bajo, <0.1 %/K. Debido al bajo ruido (corriente oscura de nivel fA), se pueden medir de manera confiable intensidades de radiación ultravioleta muy bajas (se requiere un amplificador adecuado).
Los fotodiodos de SiC se pueden usar como dispositivos de detección de banda ancha sin filtrar o con filtros ópticos, proporcionando respuesta a las bandas UVA, UVB y UVC.
Parámetros técnicos del fotodiodo ultravioleta de carburo de silicio SG01S-A18:
| Modelo |
SG01S-A18 |
| Características espectrales |
|
| Responsividad |
0.037A/W |
| Longitud de onda típica |
331nm |
| Rango de longitud de onda (S=0.1*Smax) |
309-367nm |
| Región de ceguera visible (Smax/S>405 nm) |
>1010 |
| Características generales (25 °C) |
|
| Área de detección efectiva |
0.06mm2 |
| Corriente oscura (polarización inversa de 1 V) |
0.2fA |
| Capacitancia |
15pF |
| Corriente de cortocircuito (irradiancia pico de 10 mW/cm²) |
Aproximadamente 222 nA |
| Coeficiente de temperatura |
<0.1%/K |
| Valores nominales |
|
| Temperatura de operación |
-55~+170℃ |
| Temperatura de almacenamiento |
-55~+170℃ |
| Temperatura de soldadura (3 s) |
260℃ |
| Voltaje inverso máximo VRmax |
20V |
| Características físicas |
Sellado en carcasa metálica TO18, 1 pin aislado, 1 pin a tierra |
Áreas de aplicación del fotodiodo ultravioleta de carburo de silicio SG01S-A18:
Se utiliza principalmente para control de llamas (calderas industriales), tratamiento de agua (seguro de intensidad UV), astronomía UV (detección de matrices), seguimiento de proyectiles (cámaras ultravioleta), monitoreo de ozono y contaminantes, detección de llamas (dispositivos de seguridad contra incendios, monitoreo de gotas de aceite), prueba de intensidad de rayos ultravioleta en luz solar (regalos, artículos de cosmética), prueba de intensidad de generación ultravioleta de lámparas UV (verificación de eficiencia de desinfección en dispositivos médicos o gabinetes de desinfección domésticos), etc.