Немецкий SGLUX ультрафиолетовый фотодиод - SG01D–5LENS
Широкополосный UVA+UVB+UVC, высокая стабильность чипа по данным PTB, используется для обнаружения пламени
Чувствительная площадь A = 11,0 мм²
Герметичный металлический корпус TO5 с линзой, 1 изолированный вывод и 1 заземляющий вывод
При пиковом излучении 10 мкВт/см² генерируется ток около 350 нА
Описание продукта
Немецкий SGLUX ультрафиолетовый фотодиод SG01D–5LENS Описание о материале карбида кремния (SiC)
SiC обладает уникальными свойствами: выдерживает высокие интенсивности излучения, почти нечувствителен к видимому свету, имеет низкий темновой ток, высокую скорость отклика и низкий уровень шума. Эти характеристики делают SiC отличным материалом для видимо-слепых полупроводниковых УФ-детекторов. SiC-детекторы могут работать при температурах до 170°C (338°F). Температурный коэффициент сигнала (чувствительности) также низкий, < 0,1%/К. Благодаря низкому уровню шума (темновой ток на уровне фА) можно эффективно обнаруживать очень низкие интенсивности УФ-излучения. Обратите внимание, что для этого устройства требуется соответствующий усилитель (см. типовую схему на странице 3).
Немецкий SGLUX ультрафиолетовый фотодиод SG01D–5LENS Опции
SiC-фотодиоды доступны с семью различными эффективными чувствительными площадями от 0,06 мм² до 36 мм². Стандартная версия — широкополосный UVA-UVB-UVC.
Четыре фильтровые версии обеспечивают более узкий диапазон чувствительности. Все фотодиоды имеют герметичный металлический корпус (тип TO): корпус TO18 диаметром 5,5 мм или корпус TO5 диаметром 9,2 мм. Дополнительные опции: 2 вывода (1 изолированный, 1 заземленный) или 3 вывода (2 изолированных, 1 заземленный).
Немецкий SGLUX ультрафиолетовый фотодиод SG01D–5LENS Особенности
Широкополосный UVA+UVB+UVC, высокая стабильность чипа по данным PTB, используется для обнаружения пламени
Чувствительная площадь A = 11,0 мм²Герметичный металлический корпус TO5 с линзой, 1 изолированный вывод и 1 заземляющий вывод
При пиковом излучении 10 мкВт/см² генерируется ток около 350 нА
Немецкий SGLUX ультрафиолетовый фотодиод SG01D–5LENS Параметры
| Параметр |
Символ |
Значение |
Единица |
| Спектральные характеристики |
|||
| Типичная чувствительность на длине волны пика |
S |
0,130 |
aw |
| Длина волны спектральной чувствительности |
Λ |
280 |
nm |
| Диапазон длин волн отклика (S=0,1*Smax) |
- |
221-358 |
nm |
| Видимая слепота (Smax/S>405 нм) |
VB |
> 1010 |
- |
| Общие характеристики (T=25°C) |
|||
| Чувствительная площадь (размер чипа = 0,50 мм²) |
A |
11,0 |
mm2 |
| Темновой ток (обратное напряжение 1 В) |
Id |
1,7 |
fa |
| Емкость |
C |
125 |
pF |
| Короткое замыкание (при пике 10 мкВт/см²) |
Io |
350 |
nA |
| Температурный коэффициент |
Tc |
< 0,1 |
%/K |
| Номинальные значения |
|||
| Рабочая температура |
Topt |
-55...+170 |
°C |
| Температура хранения |
Tstor |
–55 … +170 |
°C |
| Температура пайки (3 с) |
Tsold |
260 |
°C |
| Обратное напряжение |
VRmax |
20 |
V |