GaN/nitruro de galio - MTC-65W1C
Detección de valle en modo flyback para reducir pérdidas de conmutación
Modo Burst en carga ligera para aumentar la eficiencia
Mejor rendimiento de hasta 93%
Pérdida en vacío inferior a 50mW
El IC de control admite frecuencias de hasta 160 kHz
La frecuencia del sistema tiene jitter para reducir la interferencia EMI
El IC de control puede conducir directamente GaN
Introducción del producto
Este módulo de alimentación es de 65W con una sola interfaz tipo C. Su voltaje de salida puede ser controlado por el IC de protocolo para proporcionar salidas de 5V/3A, 9V/3A, 15V/3A, 20V/3.25A, etc. Utiliza una arquitectura de circuito flyback QR/DCM, alcanzando una eficiencia del 93% y una densidad de potencia de 1.5W/cm3 a plena carga con salida de 20V. Este sistema utiliza un IC de control monocristalino de la misma serie: el IC de control primario QR controla el FET GaN de modo D MTC (MGZ31N65-650V), el IC de control de rectificación síncrona secundaria y el IC de protocolo PD3.0, logrando unamejorcoincidencia.
1.Características de GaN/nitruro de galio -MTC-65W1C:
Detección de valle en modo flyback para reducir pérdidas de conmutación
Modo Burst en carga ligera para aumentar la eficiencia
mejorMejor rendimiento de hasta 93%
Pérdida en vacío inferior a 50mW
El IC de control admite frecuencias de hasta 160 kHz
La frecuencia del sistema tiene jitter para reducir la interferencia EMI
El IC de control puede conducir directamente GaN
Funciones de protección avanzadas:
(1) Protección de sobretensión y subtensión de VDD
(2) Protección de corriente máximamejorpico durante la conducción
(3) Protección de sobretensión de salida
(4) Protección de cortocircuito de salida
Puede proporcionar 65W de potencia
2.Características de GaN/nitruro de galio -Aplicaciones de MTC-65W1C:
