GaN/氮化镓 - MTC-65W1C
Обратноходовое детектирование впадин снижает потери при переключении
Режим Burst при легкой нагрузке повышает эффективность
Отличная эффективность до 93%
Потери без нагрузки ниже 50 мВт
Управляющая ИС поддерживает частоту до 160 кГц
Системная частота с джиттером для снижения электромагнитных помех
Управляющая ИС может напрямую управлять GaN
产品介绍
Этот модуль питания представляет собой 65 Вт с одним интерфейсом C, его выходное напряжение может контролироваться протокольной ИС для обеспечения выходов 5 В/3 А, 9 В/3 А, 15 В/3 А, 20 В/3,25 А и других напряжений. Используя архитектуру обратноходовой схемы QR/DCM, при выходе 20 В с тяжелой нагрузкой эффективность достигает 93%, а плотность мощности — до 1,5 Вт/см³. В этой системе используется однокристальная управляющая ИС той же серии: первичная управляющая ИС QR приводит в действие MTC D-mode GaN FET (MGZ31N65-650 В), вторичная ИС синхронного выпрямления и протокольная ИС PD3.0, что позволяет достичь较最佳匹配。
1.GaN/氮化镓 -Характеристики MTC-65W1C:
Обратноходовое детектирование впадин снижает потери при переключении
Режим Burst при легкой нагрузке повышает эффективность
较Отличная эффективность до 93%
Потери без нагрузки ниже 50 мВт
Управляющая ИС поддерживает частоту до 160 кГц
Системная частота с джиттером для снижения электромагнитных помех
Управляющая ИС может напрямую управлять GaN
Расширенные функции защиты следующие:
(1) Защита от перенапряжения и пониженного напряжения VDD
(2) При включении较Защита от больших пиковых токов
(3) Защита от перенапряжения на выходе
(4) Защита от короткого замыкания на выходе
Может выдавать мощность 65 Вт
2.GaN/氮化镓 -Применение MTC-65W1C:
