Photodiode ultraviolette SGLUX Allemagne - SG01D-B18
1. Utilisation de matériau carbure de silicium (SiC)
2. Convient uniquement à la bande UVB
3. Surface de zone photosensible 0,50 mm²
4. Génère environ 6,25 nA de courant sous un rayonnement de crête de 10 µW/cm²
5. Haute stabilité de la puce (certifiée PTB allemande)
Présentation du produit
I. Domaines d'application de la photodiode ultraviolette SG01D-B18 :
La photodiode ultraviolette SG01D-B18 est principalement utilisée pour le contrôle de flamme (chaudières industrielles), le traitement de l'eau (assurance de l'intensité UV), l'astronomie UV (détection en réseau), le suivi de projectiles (caméras ultraviolettes), la surveillance de l'ozone et des polluants, la détection de flamme (dispositifs de sécurité incendie, surveillance de gouttelettes d'huile), le test de l'intensité des rayons ultraviolets dans la lumière solaire, le test de l'intensité de génération ultraviolette des lampes UV (vérification de l'efficacité de désinfection des dispositifs médicaux ou des armoires de désinfection civiles), etc.
II. Caractéristiques de la photodiode ultraviolette SG01D-B18 :
1. Utilisation de matériau carbure de silicium (SiC)
2. Convient uniquement à la bande UVB
3. Surface de zone photosensible 0,50 mm²
4. Génère environ 6,25 nA de courant sous un rayonnement de crête de 10 µW/cm²
5. Haute stabilité de la puce (certifiée PTB allemande)
III. À propos du matériau carbure de silicium (SiC) :
Le SiC présente des avantages extrêmement particuliers : il peut supporter un rayonnement de haute intensité, est presque insensible à la lumière visible, produit un faible courant d'obscurité et a une vitesse de réponse rapide. Ces caractéristiques font du SiC un excellent matériau pour la fabrication de détecteurs ultraviolets à semi-conducteurs capables de supprimer la lumière visible. Les détecteurs SiC peuvent fonctionner à long terme à des températures allant jusqu'à 170 °C, ont un faible coefficient de température (<0,1 %/K) et un faible bruit, et peuvent surveiller efficacement des intensités de rayonnement très faibles (nécessitant un amplificateur approprié).
IV. Paramètres techniques de la photodiode ultraviolette SG01D-B18 :
| Modèle |
SG01D-B18 |
| Caractéristiques spectrales |
|
| Sensibilité |
0.125A/W |
| Longueur d'onde typique |
280nm |
| Plage de longueurs d'onde (S = 0,1 * Smax) |
231-309nm |
| Taux de suppression de la lumière visible (Smax/S > 405 nm) |
>1010 |
| Caractéristiques générales (25 °C) |
|
| Surface de zone photosensible |
0.5mm2 |
| Courant d'obscurité (polarisation inverse de 1 V) |
1.7fA |
| Capacité |
125pF |
| Courant de court-circuit (rayonnement de crête de 10 µW/cm²) |
Environ 6,25 nA |
| Coefficient de température |
<0.1%/K |
| Valeurs nominales |
|
| Température de fonctionnement |
-55~+170℃ |
| Température de stockage |
-55~+170℃ |
| Température de soudure (3 s) |
260℃ |
| Tension inverse maximale VRmax |
20V |
| Caractéristiques physiques |
Boîtier métallique scellé TO18, broche 1 isolée, broche 1 mise à la terre |