Diodo fotodetector ultravioleta SGLUX de Alemania - SG01D-B18

1. Áreas de aplicación del diodo fotodetector ultravioleta SG01D-B18:

El diodo fotodetector ultravioleta SG01D-B18 se utiliza principalmente para control de llamas (calderas industriales), tratamiento de agua (seguro de intensidad UV), astronomía UV (detección de matrices), seguimiento de proyectiles (cámaras ultravioleta), monitoreo de ozono y contaminantes, detección de llamas (dispositivos de seguridad contra incendios, monitoreo de gotas de aceite), prueba de intensidad de rayos ultravioleta en luz solar, prueba de intensidad de generación ultravioleta de lámparas UV (verificación de eficiencia de desinfección en dispositivos médicos o gabinetes de desinfección civiles), etc.

2. Características del diodo fotodetector ultravioleta SG01D-B18:

1. Fabricado con material de carburo de silicio (SiC)

2. Solo adecuado para la banda UVB

3. Área de la región fotosensible: 0.50 mm²

4. Genera aproximadamente 6.25 nA de corriente bajo irradiación de intensidad máxima de 10 µW/cm²

5. Alta estabilidad del chip (certificado por PTB de Alemania)

3. Sobre el material de carburo de silicio (SiC):

El SiC tiene ventajas extremadamente especiales: puede soportar radiación de alta intensidad, es casi insensible a la luz visible, genera baja corriente oscura y tiene una velocidad de respuesta rápida. Estas características hacen del SiC un material excelente para fabricar detectores de radiación ultravioleta semiconductores que pueden suprimir la luz visible. Los detectores de SiC pueden funcionar a largo plazo a temperaturas de hasta 170 °C, tienen un coeficiente de temperatura bajo (<0.1%/K) y bajo ruido, y pueden monitorear eficazmente intensidades de radiación muy bajas (se requiere un amplificador correspondiente).

4. Parámetros técnicos del diodo fotodetector ultravioleta SG01D-B18:

Modelo	SG01D-B18
Características espectrales
Sensibilidad	0.125A/W
Longitud de onda típica	280nm
Rango de longitud de onda (S=0.1*Smax)	231-309nm
Relación de supresión de luz visible (Smax/S>405nm)	>1010
Características generales (25 °C)
Área de la región fotosensible	0.5mm2
Corriente oscura (polarización inversa de 1 V)	1.7fA
Capacitancia	125pF
Corriente de cortocircuito (intensidad máxima de 10 µW/cm²)	Aproximadamente 6.25 nA
Coeficiente de temperatura	<0.1%/K
Valores nominales
Temperatura de operación	-55～+170℃
Temperatura de almacenamiento	-55～+170℃
Temperatura de soldadura (3 s)	260℃
Voltaje inverso máximo VRmax	20V
Características físicas	Encapsulado en carcasa metálica TO18, pin 1 aislado, pin 1 conectado a tierra