Немецкий SGLUX ультрафиолетовый фотодиод - SG01D-B18
1. Изготовлен из карбида кремния (SiC)
2. Подходит только для UVB-диапазона
3. Площадь фоточувствительной области 0,50 мм²
4. При облучении пиковой интенсивностью 10 мкВт/см² генерирует ток около 6,25 нА
5. Высокая стабильность чипа (сертифицирован немецким PTB)
Описание продукта
1. Области применения ультрафиолетового фотодиода SG01D-B18:
Ультрафиолетовый фотодиод SG01D-B18 в основном используется для контроля пламени (промышленные котлы), очистки воды (страховка интенсивности УФ), УФ-астрономии (массивное обнаружение), отслеживания пуль (УФ-камеры), мониторинга озона и загрязняющих веществ, обнаружения пламени (пожарная сигнализация, контроль масляных капель), тестирования интенсивности УФ-излучения в солнечном свете, тестирования интенсивности УФ-излучения УФ-ламп (проверка эффективности дезинфекции медицинских приборов или бытовых дезинфекционных шкафов) и т.д.
2. Характеристики ультрафиолетового фотодиода SG01D-B18:
1. Изготовлен из карбида кремния (SiC)
2. Подходит только для UVB-диапазона
3. Площадь фоточувствительной области 0,50 мм²
4. При облучении пиковой интенсивностью 10 мкВт/см² генерирует ток около 6,25 нА
5. Высокая стабильность чипа (сертифицирован немецким PTB)
3. О материале карбида кремния (SiC):
SiC обладает чрезвычайно особыми преимуществами: выдерживает высокую интенсивность излучения, почти нечувствителен к видимому свету, имеет низкий темновой ток и высокую скорость отклика. Эти характеристики делают SiC отличным материалом для подавления видимого света при создании полупроводниковых УФ-детекторов. SiC-детекторы могут длительно работать при температуре до 170°C, имеют низкий температурный коэффициент (<0,1%/К) и низкий уровень шума, что позволяет эффективно обнаруживать очень низкую интенсивность излучения (требуется соответствующий усилитель).
4. Технические параметры ультрафиолетового фотодиода SG01D-B18:
| Модель |
SG01D-B18 |
| Спектральные характеристики |
|
| Чувствительность |
0.125A/W |
| Типичное значение длины волны |
280nm |
| Диапазон длин волн (S=0,1*Smax) |
231-309nm |
| Коэффициент подавления видимого света (Smax/S>405 нм) |
>1010 |
| Общие характеристики (25°C) |
|
| Площадь фоточувствительной области |
0.5mm2 |
| Темновой ток (обратное смещение 1 В) |
1.7fA |
| Емкость |
125pF |
| Ток короткого замыкания (пиковая интенсивность 10 мкВт/см²) |
Около 6,25 нА |
| Температурный коэффициент |
<0.1%/K |
| Номинальные значения |
|
| Рабочая температура |
-55～+170℃ |
| Температура хранения |
-55～+170℃ |
| Температура пайки (3 с) |
260℃ |
| Максимальное обратное напряжение VRmax |
20V |
| Физические характеристики |
Герметичный металлический корпус TO18, вывод 1 изолирован, вывод 1 заземлен |
