Photodiode UV SGLUX Allemagne - SG01S-C5/SG01S-C18
1. Utilisation de matériau carbure de silicium (SiC)
2. Convient uniquement à la bande UVC
3. Surface de zone photosensible 0,06 mm²
4. Génère environ 720 nA sous irradiation de crête de 10 mW/cm²
5. Haute stabilité de la puce (certifiée PTB allemande)
6. Certification DVGW allemande
Présentation du produit
Caractéristiques de la photodiode UV SG01S-C5/SG01S-C18 :
1. Utilisation de matériau carbure de silicium (SiC)
2. Convient uniquement à la bande UVC
3. Surface de zone photosensible 0,06 mm²
4. Génère environ 720 nA sous irradiation de crête de 10 mW/cm²
5. Haute stabilité de la puce (certifiée PTB allemande)
6. Certification DVGW allemande
À propos du matériau carbure de silicium (SiC) :
Le SiC présente des avantages extrêmement particuliers : il peut supporter des rayonnements de haute intensité, est presque insensible à la lumière visible, produit un faible courant d'obscurité et a une vitesse de réponse rapide. Ces caractéristiques font du SiC un excellent matériau pour la fabrication de détecteurs UV semi-conducteurs capables de supprimer la lumière visible. Les détecteurs SiC peuvent fonctionner à long terme à des températures allant jusqu'à 170 °C, ont un faible coefficient de température (<0,1 %/K) et un faible bruit, et peuvent surveiller efficacement des intensités de rayonnement très faibles (avec un amplificateur approprié).
Paramètres techniques de la photodiode UV SG01S-C5/SG01S-C18 :
| Modèle |
SG01S-C5 |
SG01S-C18 |
| Caractéristiques spectrales |
||
| Sensibilité |
0.120A/W |
0.120A/W |
| Longueur d'onde typique |
275nm |
275nm |
| Plage de longueurs d'onde (S = 0,1 * Smax) |
225-287nm |
225-287nm |
| Taux de suppression de la lumière visible (Smax/S > 405 nm) |
>1010 |
>1010 |
| Caractéristiques générales (25 °C) |
||
| Surface de zone photosensible |
0.06mm2 |
0.06mm2 |
| Courant d'obscurité (polarisation inverse 1 V) |
0.2fA |
0.2fA |
| Capacité |
15pF |
15pF |
| Courant de court-circuit (irradiation de crête 10 mW/cm²) |
Environ 720 nA |
Environ 720 nA |
| Coefficient de température |
<0.1%/K |
<0.1%/K |
| Valeurs nominales |
||
| Température de fonctionnement |
-55~+170℃ |
-55~+170℃ |
| Température de stockage |
-55~+170℃ |
-55~+170℃ |
| Température de soudure (3 s) |
260℃ |
260℃ |
| Tension inverse maximale VRmax |
20V |
20V |
| Caractéristiques physiques |
Boîtier métallique TO5 scellé, 1 broche isolée, 1 broche mise à la terre |
Boîtier métallique TO18 scellé, 1 broche isolée, 1 broche mise à la terre |
Domaines d'application de la photodiode UV SG01S-C5/SG01S-C18 :
Principalement utilisé pour le contrôle de flamme (chaudières industrielles), le traitement de l'eau (assurance de l'intensité UV), l'astronomie UV (détection en réseau), le suivi de projectiles (caméras UV), la surveillance de l'ozone et des polluants, la détection de flamme (dispositifs de sécurité incendie, surveillance de gouttelettes d'huile), le test de l'intensité UV dans la lumière solaire (cadeaux, accessoires cosmétiques), le test de l'intensité UV des lampes UV (dispositifs médicaux ou vérification de l'efficacité de désinfection des armoires de désinfection civiles), etc.