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Photodiode UV SGLUX Allemagne SG01S-C5/SG01S-C18
Photodiode UV SGLUX Allemagne

Photodiode UV SGLUX Allemagne - SG01S-C5/SG01S-C18

1. Utilisation de matériau carbure de silicium (SiC)
2. Convient uniquement à la bande UVC
3. Surface de zone photosensible 0,06 mm²
4. Génère environ 720 nA sous irradiation de crête de 10 mW/cm²
5. Haute stabilité de la puce (certifiée PTB allemande)
6. Certification DVGW allemande

Modèle de produit : SG01S-C5/SG01S-C18

Présentation du produit

Caractéristiques de la photodiode UV SG01S-C5/SG01S-C18 :

1. Utilisation de matériau carbure de silicium (SiC)

2. Convient uniquement à la bande UVC

3. Surface de zone photosensible 0,06 mm²

4. Génère environ 720 nA sous irradiation de crête de 10 mW/cm²

5. Haute stabilité de la puce (certifiée PTB allemande)

6. Certification DVGW allemande

À propos du matériau carbure de silicium (SiC) :


Le SiC présente des avantages extrêmement particuliers : il peut supporter des rayonnements de haute intensité, est presque insensible à la lumière visible, produit un faible courant d'obscurité et a une vitesse de réponse rapide. Ces caractéristiques font du SiC un excellent matériau pour la fabrication de détecteurs UV semi-conducteurs capables de supprimer la lumière visible. Les détecteurs SiC peuvent fonctionner à long terme à des températures allant jusqu'à 170 °C, ont un faible coefficient de température (<0,1 %/K) et un faible bruit, et peuvent surveiller efficacement des intensités de rayonnement très faibles (avec un amplificateur approprié).


Paramètres techniques de la photodiode UV SG01S-C5/SG01S-C18 :

Modèle

SG01S-C5

SG01S-C18

Caractéristiques spectrales

Sensibilité

0.120A/W

0.120A/W

Longueur d'onde typique

275nm

275nm

Plage de longueurs d'onde (S = 0,1 * Smax)

225-287nm

225-287nm

Taux de suppression de la lumière visible (Smax/S > 405 nm)

>1010

>1010

Caractéristiques générales (25 °C)

Surface de zone photosensible

0.06mm2

0.06mm2

Courant d'obscurité (polarisation inverse 1 V)

0.2fA

0.2fA

Capacité

15pF

15pF

Courant de court-circuit (irradiation de crête 10 mW/cm²)

Environ 720 nA

Environ 720 nA

Coefficient de température

<0.1%/K

<0.1%/K

Valeurs nominales

Température de fonctionnement

-55~+170℃

-55~+170℃

Température de stockage

-55~+170℃

-55~+170℃

Température de soudure (3 s)

260℃

260℃

Tension inverse maximale VRmax

20V

20V

Caractéristiques physiques

Boîtier métallique TO5 scellé, 1 broche isolée, 1 broche mise à la terre

Boîtier métallique TO18 scellé, 1 broche isolée, 1 broche mise à la terre


Domaines d'application de la photodiode UV SG01S-C5/SG01S-C18 :

Principalement utilisé pour le contrôle de flamme (chaudières industrielles), le traitement de l'eau (assurance de l'intensité UV), l'astronomie UV (détection en réseau), le suivi de projectiles (caméras UV), la surveillance de l'ozone et des polluants, la détection de flamme (dispositifs de sécurité incendie, surveillance de gouttelettes d'huile), le test de l'intensité UV dans la lumière solaire (cadeaux, accessoires cosmétiques), le test de l'intensité UV des lampes UV (dispositifs médicaux ou vérification de l'efficacité de désinfection des armoires de désinfection civiles), etc.