Diodo fotoelétrico ultravioleta SGLUX da Alemanha - SG01S-C5/SG01S-C18
1. Feito de material de carboneto de silício (SiC)
2. Aplicável apenas à banda UVC
3. Área da região fotossensível de 0,06 mm²
4. Gera aproximadamente 720 nA de corrente sob irradiação de pico de 10 mW/cm²
5. Alta estabilidade do chip (certificado pelo PTB alemão)
6. Certificação DVGW alemã
Introdução do produto
Características do diodo fotoelétrico ultravioleta SG01S-C5/SG01S-C18:
1. Feito de material de carboneto de silício (SiC)
2. Aplicável apenas à banda UVC
3. Área da região fotossensível de 0,06 mm²
4. Gera aproximadamente 720 nA de corrente sob irradiação de pico de 10 mW/cm²
5. Alta estabilidade do chip (certificado pelo PTB alemão)
6. Certificação DVGW alemã
Sobre o material de carboneto de silício (SiC):
O SiC possui vantagens extremamente especiais, pode suportar radiação de alta intensidade, é quase insensível à luz visível, gera baixa corrente escura e tem resposta rápida. Essas características tornam o SiC um excelente material para fabricar detectores de radiação ultravioleta semicondutores que podem suprimir a luz visível. Os detectores de SiC podem operar por longos períodos em temperaturas de até 170 °C, têm baixo coeficiente de temperatura (<0,1%/K) e baixo ruído, e podem monitorar efetivamente intensidades de radiação muito baixas (com amplificador apropriado).
Parâmetros técnicos do diodo fotoelétrico ultravioleta SG01S-C5/SG01S-C18:
| Modelo |
SG01S-C5 |
SG01S-C18 |
| Características espectrais |
||
| Sensibilidade |
0.120A/W |
0.120A/W |
| Comprimento de onda típico |
275nm |
275nm |
| Faixa de comprimento de onda (S=0,1*Smax) |
225-287nm |
225-287nm |
| Taxa de supressão de luz visível (Smax/S>405nm) |
>1010 |
>1010 |
| Características gerais (25 °C) |
||
| Área da região fotossensível |
0.06mm2 |
0.06mm2 |
| Corrente escura (polarização reversa de 1 V) |
0.2fA |
0.2fA |
| Capacitância |
15pF |
15pF |
| Corrente de curto-circuito (irradiância de pico de 10 mW/cm²) |
Aproximadamente 720 nA |
Aproximadamente 720 nA |
| Coeficiente de temperatura |
<0.1%/K |
<0.1%/K |
| Valores nominais |
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| Temperatura de operação |
-55~+170℃ |
-55~+170℃ |
| Temperatura de armazenamento |
-55~+170℃ |
-55~+170℃ |
| Temperatura de soldagem (3 s) |
260℃ |
260℃ |
| Tensão reversa máxima VRmax |
20V |
20V |
| Características físicas |
Selado em invólucro metálico TO5, 1 pino isolado, 1 pino aterrado |
Selado em invólucro metálico TO18, 1 pino isolado, 1 pino aterrado |
Áreas de aplicação do diodo fotoelétrico ultravioleta SG01S-C5/SG01S-C18:
Usado principalmente para controle de chamas (caldeiras industriais), tratamento de água (seguro de intensidade UV), astronomia UV (detecção em matriz), rastreamento de projéteis (câmeras ultravioleta), monitoramento de ozônio e poluentes, detecção de chamas (dispositivos de segurança contra incêndio, monitoramento de gotas de óleo), teste da intensidade de UV na luz solar (presentes, utensílios de cosméticos), teste da intensidade de UV gerada por lâmpadas ultravioleta (equipamentos médicos ou verificação da eficiência de desinfecção de armários de desinfecção domésticos), etc.