Diodo fotoelétrico ultravioleta SGLUX da Alemanha SG01S-C5/SG01S-C18
Diodo fotoelétrico ultravioleta SGLUX da Alemanha

Diodo fotoelétrico ultravioleta SGLUX da Alemanha - SG01S-C5/SG01S-C18

1. Feito de material de carboneto de silício (SiC)
2. Aplicável apenas à banda UVC
3. Área da região fotossensível de 0,06 mm²
4. Gera aproximadamente 720 nA de corrente sob irradiação de pico de 10 mW/cm²
5. Alta estabilidade do chip (certificado pelo PTB alemão)
6. Certificação DVGW alemã

Modelo do produto: SG01S-C5/SG01S-C18

Introdução do produto

Características do diodo fotoelétrico ultravioleta SG01S-C5/SG01S-C18:

1. Feito de material de carboneto de silício (SiC)

2. Aplicável apenas à banda UVC

3. Área da região fotossensível de 0,06 mm²

4. Gera aproximadamente 720 nA de corrente sob irradiação de pico de 10 mW/cm²

5. Alta estabilidade do chip (certificado pelo PTB alemão)

6. Certificação DVGW alemã

Sobre o material de carboneto de silício (SiC):


O SiC possui vantagens extremamente especiais, pode suportar radiação de alta intensidade, é quase insensível à luz visível, gera baixa corrente escura e tem resposta rápida. Essas características tornam o SiC um excelente material para fabricar detectores de radiação ultravioleta semicondutores que podem suprimir a luz visível. Os detectores de SiC podem operar por longos períodos em temperaturas de até 170 °C, têm baixo coeficiente de temperatura (<0,1%/K) e baixo ruído, e podem monitorar efetivamente intensidades de radiação muito baixas (com amplificador apropriado).


Parâmetros técnicos do diodo fotoelétrico ultravioleta SG01S-C5/SG01S-C18:

Modelo

SG01S-C5

SG01S-C18

Características espectrais

Sensibilidade

0.120A/W

0.120A/W

Comprimento de onda típico

275nm

275nm

Faixa de comprimento de onda (S=0,1*Smax)

225-287nm

225-287nm

Taxa de supressão de luz visível (Smax/S>405nm)

>1010

>1010

Características gerais (25 °C)

Área da região fotossensível

0.06mm2

0.06mm2

Corrente escura (polarização reversa de 1 V)

0.2fA

0.2fA

Capacitância

15pF

15pF

Corrente de curto-circuito (irradiância de pico de 10 mW/cm²)

Aproximadamente 720 nA

Aproximadamente 720 nA

Coeficiente de temperatura

<0.1%/K

<0.1%/K

Valores nominais

Temperatura de operação

-55~+170℃

-55~+170℃

Temperatura de armazenamento

-55~+170℃

-55~+170℃

Temperatura de soldagem (3 s)

260℃

260℃

Tensão reversa máxima VRmax

20V

20V

Características físicas

Selado em invólucro metálico TO5, 1 pino isolado, 1 pino aterrado

Selado em invólucro metálico TO18, 1 pino isolado, 1 pino aterrado


Áreas de aplicação do diodo fotoelétrico ultravioleta SG01S-C5/SG01S-C18:

Usado principalmente para controle de chamas (caldeiras industriais), tratamento de água (seguro de intensidade UV), astronomia UV (detecção em matriz), rastreamento de projéteis (câmeras ultravioleta), monitoramento de ozônio e poluentes, detecção de chamas (dispositivos de segurança contra incêndio, monitoramento de gotas de óleo), teste da intensidade de UV na luz solar (presentes, utensílios de cosméticos), teste da intensidade de UV gerada por lâmpadas ultravioleta (equipamentos médicos ou verificação da eficiência de desinfecção de armários de desinfecção domésticos), etc.