Fotodiodo ultravioleta SGLUX de Alemania - SG01S-C5/SG01S-C18
1. Fabricado con material de carburo de silicio (SiC)
2. Solo apto para banda UVC
3. Área de región fotosensible de 0,06 mm2
4. Genera aproximadamente 720 nA de corriente bajo irradiación de intensidad máxima de 10 mW/cm2
5. Alta estabilidad del chip (certificado por PTB alemán)
6. Certificación DVGW alemana
Introducción del producto
Características del fotodiodo ultravioleta SG01S-C5/SG01S-C18:
1. Fabricado con material de carburo de silicio (SiC)
2. Solo apto para banda UVC
3. Área de región fotosensible de 0,06 mm2
4. Genera aproximadamente 720 nA de corriente bajo irradiación de intensidad máxima de 10 mW/cm2
5. Alta estabilidad del chip (certificado por PTB alemán)
6. Certificación DVGW alemana
Sobre el material de carburo de silicio (SiC):
El SiC tiene ventajas extremadamente especiales: puede soportar radiación de alta intensidad, es casi insensible a la luz visible, genera baja corriente oscura y tiene una velocidad de respuesta rápida. Estas características hacen del SiC un material excelente para fabricar detectores ultravioleta de semiconductores que pueden suprimir la luz visible. Los detectores de SiC pueden funcionar durante mucho tiempo a temperaturas de hasta 170 °C, tienen un coeficiente de temperatura bajo (<0,1 %/K) y bajo ruido, y pueden monitorear eficazmente intensidades de radiación muy bajas (requiere amplificador correspondiente).
Parámetros técnicos del fotodiodo ultravioleta SG01S-C5/SG01S-C18:
| Modelo |
SG01S-C5 |
SG01S-C18 |
| Características espectrales |
||
| Sensibilidad |
0.120A/W |
0.120A/W |
| Longitud de onda típica |
275nm |
275nm |
| Rango de longitud de onda (S=0,1*Smax) |
225-287nm |
225-287nm |
| Relación de supresión de luz visible (Smax/S>405nm) |
>1010 |
>1010 |
| Características generales (25 °C) |
||
| Área de región fotosensible |
0.06mm2 |
0.06mm2 |
| Corriente oscura (polarización inversa de 1 V) |
0.2fA |
0.2fA |
| Capacitancia |
15pF |
15pF |
| Corriente de cortocircuito (irradiación máxima de 10 mW/cm2) |
Aproximadamente 720 nA |
Aproximadamente 720 nA |
| Coeficiente de temperatura |
<0.1%/K |
<0.1%/K |
| Valores nominales |
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| Temperatura de operación |
-55~+170℃ |
-55~+170℃ |
| Temperatura de almacenamiento |
-55~+170℃ |
-55~+170℃ |
| Temperatura de soldadura (3 s) |
260℃ |
260℃ |
| Voltaje inverso máximo VRmax |
20V |
20V |
| Características físicas |
Sellado en carcasa metálica TO5, 1 pin aislado, 1 pin a tierra |
Sellado en carcasa metálica TO18, 1 pin aislado, 1 pin a tierra |
Campos de aplicación del fotodiodo ultravioleta SG01S-C5/SG01S-C18:
Se utiliza principalmente para control de llamas (calderas industriales), tratamiento de agua (seguro de intensidad UV), astronomía UV (detección de matrices), seguimiento de proyectiles (cámaras ultravioleta), monitoreo de ozono y contaminantes, detección de llamas (dispositivos de seguridad contra incendios, monitoreo de gotas de aceite), prueba de intensidad de rayos ultravioleta en luz solar (regalos, artículos de cosmética), prueba de intensidad de generación ultravioleta de lámparas UV (dispositivos médicos o verificación de eficiencia de desinfección de gabinetes de desinfección civiles), etc.