고속 아날로그-디지털 변환 칩 MS5510
고속 아날로그-디지털 변환 칩

고속 아날로그-디지털 변환 칩 - MS5510

아날로그 신호 입력 범위:
- 모드 1: 2V MAX
- 모드 2: 4V MAX
8비트 분해능
적분 비선형성 오류
±0.75 LSB(25℃) ±1 LSB(-20℃-75℃)
미분 비선형성 오류
±0.5 LSB(25°C) ±0.75 LSB(-20℃-75℃)
최대 변환 주파수: 20MSPS
5V 단일 전원 동작
저전력
- 모드 1: 127.5mW
- 모드 2: 150mW

제품 모델: MS5510

제품 소개

MS5510는8비트,20MSPS아날로그-디지털 변환기(ADCs),동시에 반 플래시 구조를 사용합니다.MS5510의5V전원 전압에서 작동하며, 일반적인 전력 소비는130mW에 불과하며, 내부 샘플 앤 홀드 회로를 포함하고,고임피던스 방식의 병렬 출력 포트 및 내부 기준 저항을 갖추고 있습니다.플래시 변환기(flash converters)와 비교하여 반 플래시 구조는 전력 소비와 웨이퍼 크기를 줄입니다.2단계 프로세스(2-step process)에서 변환을 구현하여 비교기 수를 크게 줄일 수 있습니다. 변환 데이터 대기 시간은2.5클록입니다.

MS5510두 가지 작동 모드가 있습니다. 모드 1은3 개의 내부 기준 저항을 연결하여VDDA 표준2V 풀스케일 변환 범위를 생성할 수 있습니다. 이 옵션을 구현하려면 외부 점퍼만 필요합니다. 모드 2는 내부 저항 영역을 통해 표준4V풀 스케일변환 범위를 생성합니다. 이는 외부 기준 또는 저항에 대한 요구를 줄입니다. 차동 선형성은25℃ 온도에서0.5LSB이며,전체 작동 온도 범위에서 최대값은0.75LSB입니다. 차동 이득1%및 차동 위상0.7%으로 동적특성 범위를 지정할 수 있습니다.MS5510의 작동 온도-45℃ ~85℃。

 

1. 고속 아날로그-디지털 변환 칩-MS5510의 특성:

아날로그 신호 입력 범위:
- 모드 1: 2V MAX
- 모드 2: 4V MAX
8비트 분해능
적분 비선형성 오류
±0.75 LSB(25℃) ±1 LSB(-20℃-75℃)
미분 비선형성 오류
±0.5 LSB(25°C) ±0.75 LSB(-20℃-75℃)
최대 변환 주파수: 20MSPS
5V 단일 전원 동작
저전력
- 모드 1: 127.5mW
- 모드 2: 150mW

 

2. 고속 아날로그-디지털 변환 칩-MS5510의 응용 분야:

디지털 TV
멀티미디어 이미지 처리
화상 회의
고속 데이터 변환
직교 변조 복조기