GUVV-T21GH 자외선 센서 전압 출력 신호, 고감도, 우수한 일광 차단. 주로 UVA 대역 자외선 램프 모니터링 등에 사용
GUVV-T20GD-U 자외선 센서 칩 크기 3.4mm, TO-39 패키지, InGaN 재료, 고응답, 저암전류. 전체 UV 대역 모니터링, UVA 대역 자외선 램프 모니터링, 살균 램프 모니터링 등에 사용
GUVV-T10GD-L 자외선 센서 칩 크기 1.4mm, TO-46 패키지, InGaN 재료, 광기전력 모드 작동, 고응답, 저암전류. 전체 UV 대역 모니터링, UVA 대역 자외선 램프 모니터링, 살균 램프 모니터링 등에 사용
GUVV-S10SD 자외선 센서 칩 크기 0.4mm, SMD3528 패키지, InGaN 재료, 광기전력 모드 작동, 고응답, 저암전류. UVA 대역 자외선 램프 모니터링 등에 사용
GVGR-T10GD 가시광선 센서 칩 0.4mm 미만, TO-46 패키지, InGaN 재료, 광기전력 모드 작동, 고응답, 저암전류. UV LED 모니터링(385, 405nm 등), 녹색 LED 모니터링, 자외선 램프 모니터링, UV 경화 등에 사용
GVBL-T12GD 가시광선 센서 자외선 센서 칩 0.4mm 미만, TO-46 패키지, InGaN 재료, 광기전력 모드 작동, 고응답, 저암전류. UV LED 모니터링(365, 385nm 등), 청색 LED 모니터링, UVA 대역 자외선 램프 모니터링, UV 경화 등에 사용
자외선 센서 - GUVA-T21GH, 고감도 및 우수한 광 차단, 소형 크기, UV-A 램프 모니터링에 사용
자외선 센서 - GUVA-T21GD-U, 우수한 가시광 차단, 광기전력 모드 작동, 고응답, 저암전류, 전체 UV 대역 모니터링, UV-A 램프 모니터링에 사용
자외선 센서 - GUVA-T11GD-L, 우수한 가시광 차단, 광기전력 모드 작동, 고응답, 저암전류, 전체 UV 대역 모니터링, UV-A 램프 모니터링에 사용
자외선 센서 - GUVA-T11GD, 우수한 가시광 차단, 광기전력 모드 작동, 고응답, 저암전류, 전체 UV 대역 모니터링, 살균 램프 모니터링, UV-A 램프 모니터링에 사용
자외선 센서 - GUVA-S12SD, 우수한 가시광 차단, 광기전력 모드 작동, 고응답, 저암전류, UV 지수 모니터링, UV-A 램프/LED 모니터링에 사용
UVB 자외선 센서 GUVB-T21GH, 고감도 및 우수한 일광 차단, 300nm 대역 피크 응답, TO-5 금속 케이스 패키지, 내장 증폭기, 0-5V 아날로그 신호 출력. 주로 UV 지수 모니터링, UV-B 램프 모니터링 및 의료에 사용
UVB 자외선 센서, 고감도 및 우수한 일광 차단, 300nm 대역 피크 응답, TO-39 금속 케이스 패키지, 대면적 감광 칩. 주로 UV 지수 모니터링, UV-B 램프 모니터링 및 의료에 사용
UVB 자외선 센서, 고감도 및 우수한 일광 차단, 300nm 대역 피크 응답, TO-46 금속 케이스 패키지. 주로 UV 지수 모니터링, UV-B 램프 모니터링 및 의료에 사용
UVC 자외선 센서 GUVC-T21GH, 254nm 피크 대역 검출, 고감도 및 우수한 일광 차단, TO-5 금속 케이스 패키지, 내장 집적 증폭 회로, 0-5V 출력, 주로 순수 UV-C 모니터링, 살균 램프 모니터링에 사용
UVC 자외선 센서 GUVC-T20GD-U, 254nm 대역 피크 응답, 우수한 일광 차단, 대면적 감광 영역, 순수 UV-C 모니터링, 살균 램프 모니터링 및 근거리 화염 감지에 사용
UVC 대역 자외선 센서 GUVC-T10GD, 254nm 피크 대역 검출, 우수한 일광 차단, TO-46 금속 케이스 패키지, 주로 순수 UV-C 모니터링, 살균 램프 모니터링 및 근거리 화염 감지에 사용
240-370nm 모니터링 디지털 자외선 센서 GUVA-C32SM, 작동 온도 -30℃~85℃, OLGA 패키지, 질화갈륨 기판, I2C 슬레이브 인터페이스, 전원 전압 2.6~3.6V, 주로 스마트 웨어러블에 사용
자외선 포토다이오드 EOPD-265-0-0.5-CC는 자외선 영역(205nm-355nm)에서 저비용 SiC 포토다이오드로 높은 분광 감도를 가지며, TO-52 케이스에 패키징되고 UV 유리 창이 장착되어 있으며 RoHS 및 WEE 인증을 통과했습니다.
자외선 포토다이오드 EOPD-265-0-0.3-CC는 자외선 영역(205nm-355nm)에서 저비용 SiC 포토다이오드로 높은 분광 감도를 가지며, TO-52 케이스에 패키징되고 UV 유리 창이 장착되어 있으며 RoHS 및 WEE 인증을 통과했습니다.
UVB 자외선 센서 UV sensor GUVB-S11SD, 고감도 및 우수한 일광 차단, 300nm 대역 피크 응답, SMD3528 패키지(플라스틱 케이스). 주로 UV 지수 모니터링, UV-B 램프 모니터링 및 의료에 사용
FOP10 시리즈 자외선 센서는 요구되는 응용 분야에서 구조와 기계적 크기로 인해 FOP 포크는 라벨 제어, 고속 검출에 특히 적합하며 강한 광 노이즈 내성으로 신뢰성이 높습니다.
당사의 자외선 센서는 공기 및 물 시스템 작동에 적합한 다양한 디자인으로 제공됩니다.
SG01XL-C5 자외선 포토다이오드는 주로 화염 제어, 수처리, UV 천문학, 탄도 추적, 오존 및 오염 물질 모니터링, 화염 감지, 태양광의 자외선 강도 테스트, UV 램프의 자외선 발생 강도 테스트 등에 사용됩니다.
330-445nm 자외선 가시광선 센서 GVBL-T12GD, 주로 365nm/385nm 대역 모니터링, 응답도: 0.13A/W, InGaN 기판, 1mW/cm² 광 강도에서 일반적으로 550nA 출력, 주로 UV 경화에 사용
UV-C LED 모니터링(265, 270, 280nm) 순수 UV-C 모니터링 살균 램프 모니터링
SiC는 고강도 방사선을 견딜 수 있는 독특한 특성을 가지며, 가시광선에 거의 민감하지 않고, 암전류가 낮고, 응답 속도가 빠르며 노이즈가 낮습니다. 이러한 특성으로 SiC는 가시광 차단 반도체 자외선 검출기에 매우 적합한 재료입니다.
반사형 자외선 센서 GUVF-P12MD, 수신부 - UV 흡수 필터, 형광 잉크 응답, 지폐 검출, 위조 지폐 검출에 사용
UVB 자외선 센서 GUVB-C21SD, 고감도 및 우수한 일광 차단, 300nm 대역 피크 응답, COB2418 패키지(Al 케이스). 주로 UV 지수 모니터링, UV-B 램프 모니터링 및 의료에 사용
자외선 센서 GUVA-C22SD, 우수한 가시광 차단, 고응답, 저암전류, UV 지수 모니터링 및 UV-A 램프/LED 모니터링 등에 사용
반사형 자외선 센서 - GenUV-L365P-MM, 수신부 - UV 흡수 필터, 형광 잉크 응답, 지폐 검출, 위조 지폐 검출에 사용
240-320nm 모니터링 디지털 자외선 센서 GUVB-C31SM, 작동 온도 -30℃~85℃, OLGA 패키지, 질화갈륨 기판, I2C 슬레이브 인터페이스, 전원 전압 2.6~3.6V, 주로 스마트 웨어러블에 사용
UVC 대역 자외선 센서 GUVC-T10GD-L, 254nm 피크 대역 검출, 우수한 일광 차단, 큰 감광 면적, 주로 순수 UV-C 모니터링, 살균 램프 모니터링 및 근거리 화염 감지에 사용
순수 UV-C 모니터링 살균 램프 모니터링
SKU 430 UVB 센서는 자외선 대역의 280~315nm를 측정하는 데 사용됩니다. UVA의 짧은 파장 부분은 투명 유리에 흡수되며, 태양광에 포함된 중파장 자외선은 대부분 오존층에 흡수되어 지표면에 도달하는 것은 2% 미만이며, 여름과 오후에 특히 강합니다.
GUVV-T10GD 자외선 센서: 칩 크기 0.4mm, TO 46 패키지, InGaN 재료, 광기전력 모드 작동, 고응답, 저암전류. 전체 UV 대역 모니터링, UVA 대역 자외선 램프 모니터링, 살균 램프 모니터링 등에 사용
SKU 440 자외선 지수 센서는 자외선 지수를 통해 자외선 위험 수치를 반영합니다. 강한 자외선은 피부 화상이나 피부암을 유발할 수 있으며, 자외선 지수가 15 이상이면 고위험 값입니다.
SKU 421 UVA 센서는 자외선 대역의 315~400nm를 측정하는 데 사용됩니다. UVA는 투과력이 매우 강하여 대부분의 투명 유리와 플라스틱을 투과할 수 있습니다.
탄화규소 자외선 포토다이오드 SG01M–A5는 탄화규소(SiC) 재료를 사용하며, UVA 대역에 적합하고, 유효 감지 영역은 0.2mm²입니다.
탄화규소 기반 자외선 포토다이오드 SG01L–A5는 탄화규소(SiC) 재료를 사용하며, UVA 대역에 적합하고, 유효 감지 영역은 1.0mm²이며, 10uW/cm² 피크 복사 조도에서 약 3.7nA 전류를 생성합니다.
TOCON은 5V 전원 공급 UV 광검출기로, UV 복사를 0~5V 전압으로 변환하는 집적 증폭기가 있습니다.
