Diodo fotodetector ultravioleta SGLUX da Alemanha - SG01L-A18
1. Feito de material carboneto de silício (SiC)
2. Adequado para faixa UVA
3. Área de detecção efetiva de 1,0 mm²
4. Irradiância de pico de 10 uW/cm² gera aproximadamente 3,7 nA de corrente
5. Alta estabilidade do chip (certificado pelo PTB alemão)
Introdução do produto
Características do fotodiodo ultravioleta SiC SG01L-A18:
1. Feito de material carboneto de silício (SiC)
2. Adequado para faixa UVA
3. Área de detecção efetiva de 1,0 mm²
4. Irradiância de pico de 10 uW/cm² gera aproximadamente 3,7 nA de corrente
5. Alta estabilidade do chip (certificado pelo PTB alemão)
Sobre o material carboneto de silício (SiC):
O SiC pode suportar extrema dureza de radiação, possui região cega visível quase perfeita, baixa corrente escura, resposta rápida e baixo ruído; essas características tornam o SiC um material muito bom para detectores ultravioleta de região cega visível. Os detectores SiC podem operar continuamente em temperaturas de até 170 °C, e o coeficiente de temperatura do sinal (responsividade) também é muito baixo, <0,1%/K. Devido ao baixo ruído (corrente escura de nível fA), intensidades de radiação ultravioleta muito baixas podem ser medidas de forma confiável (com amplificador adequado).
Os fotodiodos SiC podem ser usados como dispositivos de detecção de banda larga sem filtro ou com filtro óptico, fornecendo resposta às bandas UVA, UVB e UVC.
Parâmetros técnicos do fotodiodo ultravioleta SiC SG01L-A18:
| Modelo |
SG01L-A5 |
SG01L-A18 |
| Características espectrais |
||
| Responsividade |
0.037A/W |
0.037A/W |
| Comprimento de onda típico |
331nm |
331nm |
| Faixa de comprimento de onda (S=0,1*Smax) |
309-367nm |
309-367nm |
| Região cega visível (Smax/S>405nm) |
>1010 |
>1010 |
| Características gerais (25 °C) |
||
| Área de detecção efetiva |
1.0mm2 |
1.0mm2 |
| Corrente escura (polarização reversa de 1 V) |
3.3fA |
3.3fA |
| Capacitância |
250pF |
250pF |
| Corrente de curto-circuito (irradiância de pico de 10 uW/cm²) |
Aproximadamente 3,7 nA |
Aproximadamente 3,7 nA |
| Coeficiente de temperatura |
<0.1%/K |
<0.1%/K |
| Valores nominais |
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| Temperatura de operação |
-55~+170℃ |
-55~+170℃ |
| Temperatura de armazenamento |
-55~+170℃ |
-55~+170℃ |
| Temperatura de soldagem (3 s) |
260℃ |
260℃ |
| Tensão reversa máxima VRmax |
20V |
20V |
| Características físicas |
Selado em invólucro metálico TO5, 1 pino isolado, 1 pino aterrado |
Selado em invólucro metálico TO18, 1 pino isolado, 1 pino aterrado |
Aplicações do fotodiodo ultravioleta SiC SG01L-A18:
Principalmente usado para controle de chamas (caldeiras industriais), tratamento de água (seguro de intensidade UV), astronomia UV (detecção em matriz), rastreamento de projéteis (câmeras ultravioleta), monitoramento de ozônio e poluentes, detecção de chamas (dispositivos de segurança contra incêndio, monitoramento de gotas de óleo), teste da intensidade ultravioleta na luz solar (presentes, cosméticos), teste de intensidade de radiação ultravioleta de lâmpadas UV (verificação de eficiência de desinfecção em dispositivos médicos ou armários de desinfecção domésticos), etc.