Diodo fotodetector ultravioleta SGLUX de Alemania - SG01L-A18

Características del diodo fotodetector ultravioleta SiC SG01L-A18:

1. Material de carburo de silicio (SiC)

2. Adecuado para banda UVA

3. Área de detección efectiva de 1.0 mm2

4. Irradiancia pico de 10 uW/cm2 genera aproximadamente 3.7 nA de corriente

5. Alta estabilidad del chip (certificado por PTB de Alemania)

Sobre el material de carburo de silicio (SiC):

El SiC puede soportar una dureza de radiación extrema, una región ciega visible casi perfecta, baja corriente oscura, respuesta de alta velocidad y bajo ruido; estas características hacen que el SiC sea un material muy adecuado para detectores ultravioleta de región ciega visible. Los detectores de SiC pueden funcionar continuamente a temperaturas de hasta 170 °C, y el coeficiente de temperatura de la señal (responsividad) también es muy bajo, <0.1%/K. Debido al bajo ruido (corriente oscura de nivel fA), incluso intensidades de radiación ultravioleta muy bajas se pueden medir de manera confiable (se requiere un amplificador adecuado).

Los fotodiodos de SiC se pueden usar como dispositivos de detección de banda ancha sin filtrar o con filtros ópticos, proporcionando respuesta a las bandas UVA, UVB y UVC.

Parámetros técnicos del diodo fotodetector ultravioleta SiC SG01L-A18:

Modelo	SG01L-A5	SG01L-A18
Características espectrales
Responsividad	0.037A/W	0.037A/W
Longitud de onda típica	331nm	331nm
Rango de longitud de onda (S=0.1*Smax)	309-367nm	309-367nm
Región ciega visible (Smax/S>405nm)	>1010	>1010
Características generales (25 °C)
Área de detección efectiva	1.0mm2	1.0mm2
Corriente oscura (polarización inversa de 1 V)	3.3fA	3.3fA
Capacitancia	250pF	250pF
Corriente de cortocircuito (irradiancia pico de 10 uW/cm2)	Aproximadamente 3.7 nA	Aproximadamente 3.7 nA
Coeficiente de temperatura	<0.1%/K	<0.1%/K
Valores nominales
Temperatura de operación	-55～+170℃	-55～+170℃
Temperatura de almacenamiento	-55～+170℃	-55～+170℃
Temperatura de soldadura (3 s)	260℃	260℃
Voltaje inverso máximo VRmax	20V	20V
Características físicas	Sellado en carcasa metálica T05, 1 pin aislado, 1 pin a tierra	Sellado en carcasa metálica T018, 1 pin aislado, 1 pin a tierra

Áreas de aplicación del diodo fotodetector ultravioleta SiC SG01L-A18:

Principalmente para control de llamas (calderas industriales), tratamiento de agua (seguro de intensidad UV), astronomía UV (detección de matrices), seguimiento de proyectiles (cámaras ultravioleta), monitoreo de ozono y contaminantes, detección de llamas (dispositivos de seguridad contra incendios, monitoreo de gotas de aceite), prueba de intensidad de rayos ultravioleta en luz solar (artículos de regalo, cosméticos), prueba de intensidad de generación ultravioleta de lámparas UV (verificación de eficiencia de desinfección en dispositivos médicos o gabinetes de desinfección domésticos), etc.