제품 소개
SiC 자외선 포토다이오드 SG01L-A18 특성:
1. 탄화규소(SiC) 재료 사용
2. UVA 대역에 적합
3. 유효 감지 영역 1.0mm²
4. 10uW/cm² 피크 조사도에서 약 3.7nA 전류 생성
5. 칩 높은 안정성(독일 PTB 인증)
탄화규소(SiC) 재료에 대해:
SiC는 극한의 방사선 경도, 거의 완벽한 가시광선 차단, 낮은 암전류, 고속 응답 및 낮은 노이즈 특성을 견딜 수 있습니다. 이러한 기능으로 SiC는 가시광선 차단 자외선 검출기에 매우 적합한 재료입니다. SiC 검출기는 최대 170℃의 온도에서 지속적으로 작동할 수 있으며, 신호(응답도)의 온도 계수도 <0.1%/K로 매우 낮습니다. (fA 수준의 암전류) 노이즈가 낮기 때문에 매우 낮은 자외선 강도도 안정적으로 측정할 수 있습니다(적절한 증폭기 필요).
SiC 포토다이오드는 필터가 없는 광대역 검출 장치 또는 광학 필터와 함께 UVA, UVB, UVC 대역에 대한 응답을 제공할 수 있습니다.
SiC 자외선 포토다이오드 SG01L-A18 기술 사양:
| 모델 |
SG01L-A5 |
SG01L-A18 |
| 분광 특성 |
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| 응답도 |
0.037A/W |
0.037A/W |
| 파장 대표값 |
331nm |
331nm |
| 파장 범위(S=0.1*Smax) |
309-367nm |
309-367nm |
| 가시광선 차단(Smax/S>405nm) |
>1010 |
>1010 |
| 일반 특성(25℃) |
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| 유효 감지 영역 |
1.0mm2 |
1.0mm2 |
| 암전류(1V 역방향 바이어스) |
3.3fA |
3.3fA |
| 커패시턴스 |
250pF |
250pF |
| 단락 전류(10uW/cm² 피크 조사도) |
약 3.7nA |
약 3.7nA |
| 온도 계수 |
<0.1%/K |
<0.1%/K |
| 정격 값 |
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| 작동 온도 |
-55～+170℃ |
-55～+170℃ |
| 보관 온도 |
-55～+170℃ |
-55～+170℃ |
| 납땜 온도(3초) |
260℃ |
260℃ |
| 역방향 전압 VRmax |
20V |
20V |
| 물리적 특성 |
TO5 금속 케이스 밀봉, 1핀 절연, 1핀 접지 |
TO18 금속 케이스 밀봉, 1핀 절연, 1핀 접지 |
SiC 자외선 포토다이오드 SG01L-A18 응용 분야:
주로 화염 제어(산업용 보일러), 수처리(UV 강도 보험), UV 천문(어레이 검출), 탄도 추적(자외선 카메라), 오존 및 오염 물질 모니터링, 화염 감지(화재 경보 안전 장치 오일 방울 모니터링), 태양광의 자외선 강도 테스트(선물, 화장품 용품), 자외선 램프의 자외선 발생 강도 테스트(의료 기기 또는 민간용 소독 캐비닛의 소독 효율 검사) 등에 사용됩니다.
